Global Informatics
Эффективность производства и качество радиоэлектронной аппаратуры зависят от научно-технического уровня ее технологии, которая должна обеспечивать высокие параметры качества изделий. Технология интегральных микросхем и микропроцессоров стала существенной частью современного промышленного производства радиоэлектронной и электронной вычислительной аппаратуры. Вследствие сложности и многостадийности технология ИМС выделилась в самостоятельную научную дисциплину. Сегодня под технологией производства ИМС понимают совокупность технологических процессов изготовления, контрольно-измерительных операций, а также физических, химических и механических испытаний, осуществляемых с исходными материалами, полуфабрикатами или отдельными электронными элементами для получения ИМС как законченных изделий, обладающих заданными параметрами качества при приемлемых технико-экономических и социальных показателях.
Технические решения, воплощенные в ИМС, заключаются в большом числе электрических (электронных) схем, соединяющих отдельные элементы сложными связями, которые идут как по горизонтали, так и по вертикали. В результате проектирования появляется объемная электронная схема, геометрический рисунок которой именуется "топология интегральной микросхемы" (далее - "топология"). Топология ИМС по сути - воплощение электронной схемы на микроуровне в кристаллических структурах.
Основой для разработки топологии полупроводниковой ИМС являются электрическая схема, требования к электрическим параметрам и к параметрам активных и пассивных элементов, конструктивно-технологические требования и ограничения.
Разработка чертежа топологии включает в себя такие этапы: выбор конструкции и расчет активных и пассивных элементов ИМС; размещение элементов на поверхности и в объеме подложки и создание рисунка разводки (коммутации) между элементами; разработку предварительного варианта топологии; оценку качества топологии и ее оптимизацию; разработку окончательного варианта топологии. Целью работы конструктора при разработке топологии является минимизация площади кристалла ИМС, минимизация суммарной длины разводки и числа пересечений в ней.
Разработать на основе тонкопленочной технологии топологию и технологию изготовления бескорпусной интегральной микросборки, представленной на рис. 1.1. Выбор варианта курсовой работы произвести из приведенных ниже исходных данных.
Статья в тему
Корректировка номиналов тонкоплёночных элементов гибридных интегральных схем
Сопротивление
пленочного резистора определяется па формуле
R=ρ0l/b=
ρ0Kф (1.1)
где
ρ0 - удельное
поверхностное сопротивление резистивной пленки;
l,
b - длина и ши ...