Материалы, используемые для разработки микросборки

Характеристики материалов тонкопленочных резисторов

Материал резистора

Сплав МЛТ-3М

Материал контактных площадок

Медь с подслоем нихрома

Удельное поверхностное сопротивление rS, Ом/□

500

Температурный коэффициент сопротивления TKR, 1/град

±2×10-4

Удельная мощность рассеяния Р0, Вт/см2

2

Коэффициент старения резистора КстR, 1/ч.

±0,5×10-5

Способ нанесения пленок

Термическое напыление

Характеристики материалов тонкопленочных конденсаторов

Материал диэлектрика

Боросиликатное стекло(БСС)

Материал обкладок

Алюминий (Al)

Диэлектрическая проницаемость e на частоте 1кГц

3,9…4,2

Удельная емкость С0, пФ/см2

1,5×104

Тангенс угла диэлектрических потерь tgd на частоте 1кГц

0,001

Температурный коэффициент емкости ТКС, град-1

0,2×10-4

Электрическая прочность Епр, В/см

(3…5)×106

Коэффициент старения емкости КстC, 1/час

10-5

Способ нанесения пленок

Термическое напыление

Характеристики материала подложки

Материал

Ситалл СТ50-1

Класс чистоты обработки

13…14

Температурный коэффициент линейного расширения ТКЛР (х107) при Т=20…3000С, 1/град

50±2

Коэффициент теплопроводности, Вт/(м ×0С)

1,5

Диэлектрическая проницаемость при f=1МГц и Т=200С

5…8,5

Тангенс угла диэлектрических потерь tgd(х104) при f=1МГц и Т=200С

20

Объемное удельное сопротивление rV при Т=250С, Ом×см

-

Электрическая прочность Епр,

-

Характеристики тонкопленочных проводников и контактных площадок

Материал подслоя

нихром Х20Н80

Толщина подслоя, мкм

0,01…0,03

Материал слоя, мкм

Медь МВ

Толщина слоя, мкм

0,6…0,8

Удельное поверхностное сопротивление rS, Ом/□

0,02…0,04

Рекомендуемый способ контактирования внешних выводов

Сварка импульсным косвенным нагревом