Схема микросборки, электрические и эксплуатационные данные
Электрическая схема МСБ изображена на рис.1.1:
Рис. 1.1
Исходные электрические и эксплуатационные данные и материалы приведены в табл. 1.1.1, 1.2.1…1.2.4.
табл. 1.1.1
|
Исходные данные | |
|
R1,кОм |
1,85 |
|
R2,кОм |
10,1 |
|
R3,кОм |
13,61 |
|
Кол-во МСБ на подложке |
2 |
|
С1,пФ |
8814,29 |
|
С2,пФ |
4667,21 |
|
С3,пФ |
1848,08 |
|
Рабочее напряжение конденсатора Uр, В |
3 |
|
Материал диэлектрика конденсатора |
БСС |
|
Мощность рассеяния резисторов Рi, мВт |
7 |
|
Материал резисторов |
Сплав МЛТ-3М |
|
Допуски на номиналы резисторов и конденсаторов |
δRi = δCi = ± 10% |
|
Погрешности | |
|
Погрешность воспроизведения поверхностного удельного сопротивления grs, % |
2 |
|
Погрешность сопротивления контактов gRк, % |
2 |
|
Погрешность воспроизведения удельной емкости gCo, % |
2 |
|
Эксплуатационные данные | |
|
Интервал рабочих температур DT, 0С |
- 30…+30 |
|
Время эксплуатации Dt, ч. |
103 |
Статья в тему
Модуляционно-легированные транзисторы MODFET, биполярные транзисторы на гетеропереходах. Резонансный туннельный эффект
Высокая степень интеграции, характерная для современной кремниевой
технологии, не может быть достигнута при использовании полупроводниковых
соединений AIIIBV, однако эти соединения обеспечивают
большее быстродействие, прежде всего, за счет высокой подвижности р носителей и
меньши ...