Global Informatics
Расчет общей площади SΣ, занимаемой пленочными элементами, проводниками и контактными площадками:
SS= SRI + SCG + Sпр + SQпл ,
где SRI, SCG, Sпри SQпл - общие площади резисторов, конденсаторов, проводников и контактных площадок.
SS= ![]()
+ ![]()
+ 1,694 + 0,04028 = 1,974033808см2
Определяем необходимую площадь Sп подложки:
Sп = SS/ks,
Где ks = (0,4 .0,6) - выбираемый коэффициент использования подложки.
Sn =2*1,974033808/0,4=10см2
Из табл. 1.3 по данным расчетов выбран ближайший типоразмер подложки: № 4 (48×30 мм, S = 14,4см2).
Статья в тему
Модуляционно-легированные транзисторы MODFET, биполярные транзисторы на гетеропереходах. Резонансный туннельный эффект
Высокая степень интеграции, характерная для современной кремниевой
технологии, не может быть достигнута при использовании полупроводниковых
соединений AIIIBV, однако эти соединения обеспечивают
большее быстродействие, прежде всего, за счет высокой подвижности р носителей и
меньши ...