Разработка топологии ИМС

Разработка топологии включает в себя компоновку элементов ИМС на подложке и разработку топологического чертежа ИМС в увеличенном масштабе. Исходными данными для разработки топологии являются:

) разработанная коммутационная схема соединений - преобразованная электрическая схема ИМС, (представленная на рис.2.1);

) рассчитанные в пп. 3.1 3.4 геометрические размеры тонкопленочных элементов (резисторов, конденсаторов, проводников и контактных площадок);

) размеры подложки;

) технологические, электрические (схемотехнические), эксплуатационные и конструктивные данные, требования и ограничения, описанные в соответствующих разделах.

Статья в тему

Модуляционно-легированные транзисторы MODFET, биполярные транзисторы на гетеропереходах. Резонансный туннельный эффект
Высокая степень интеграции, характерная для современной кремниевой технологии, не может быть достигнута при использовании полупроводниковых соединений AIIIBV, однако эти соединения обеспечивают большее быстродействие, прежде всего, за счет высокой подвижности р носителей и меньши ...