Разработка коммутационной схемы соединений

Нижеприведенные преобразования исходной электрической схемы ИМС и схематический план размещения элементов и соединений между ними на подложке ИМС на рис. 2.1 позволяют:

упростить конфигурацию электрической схемы для уменьшения числа пересечений изгибов, получения прямых линий;

выделить на преобразованной схеме пленочные и навесные элементы;

обеспечить электрическую схему внутренними и внешними контактными площадками;

расположить элементы и соединения с учетом равномерного распределения мощности рассеяния;

расположить контактные площадки равномерно на поверхности подложки с учетом кратчайшего прохождения электрических сигналов с целью уменьшения их искажений.

Рис. 2.1

Статья в тему

Технология изготовления диффузионых резисторов на основе кремния
Одним из основных достижений микроэлектроники является создание на основе фундаментальных и прикладных наук новой элементной базы интегральных микросхем. Развитие вопросов проектирования и совершенствование технологии позволило в короткий срок создать высоко интегрированные функци ...