Global Informatics
![]()
(мА)
) Амплитуда первой гармоники напряжения на базе транзистора:
![]()
(В)
) Амплитуда первой гармоники коллекторного напряжения:
![]()
(В)
) Сопротивление коллекторной цепи:
![]()
(Ом)
6) Мощность первой гармоники:
![]()
(мВт)
) Потребляемая мощность:
![]()
(мВт)
) Рассеиваемая мощность:
(мВт)
Проверка:
(мВт)
) Электронный КПД:
![]()
%
) Напряжение смещения:
![]()
(В)
[
) Напряженность режима:
![]()
12) Напряженность граничного режима:
![]()
Проверка:
0,05
Расчет резонатора.
Выбрал L=1,25 мкГн и
Характеристическое сопротивление:
![]()
(Ом)
Суммарная емкость контура:
![]()
(пФ)
Резонансное сопротивление контура:
![]()
(кОм)
Коэффициент включения контура в выходную цепь транзистора:

0,09
Эквивалентная емкость связи с нагрузкой:
![]()
(пФ)
![]()
(пФ)

(пФ)
Статья в тему
Схемы управления и обработки выходного сигнала прибора с зарядовой связью
Фото матрица ПЗС представляет собой микросхему средней интеграции, состоящую из четырёх основных секций - накопления, памяти, нижнего однострочного регистра и выходного устройства.
Во время активной части полукадра в секции накопления создается потенциальный рельеф, соответствующий распределению яр ...