Global Informatics
Рис. 3
Транзистор КТ331Г
Справочные данные:
(МГц)
(пФ)
(пФ)
(пс)
(В)
(В)
(мА)
(мВт)
(мА/В)
(В)
(МГц)
Граничные частоты:
![]()
(МГц)
400 +10 = 410 (МГц)
1) Активная часть коллекторной емкости:
![]()
(пФ)
) Сопротивление потерь в базе:
![]()
(Ом)
Расчет корректирующей цепочки:
) 
(Ом)
) Сопротивление корректирующего резистора:
![]()
(Ом)
)![]()
(пФ)
) ![]()
(Ом)
Принял
(Ом)
) Крутизна переходной характеристики:
![]()
(А/В)
Расчет электрического режима:
![]()
16 (мА). ![]()
(В)
Основные параметры генератора:
) Амплитуда первой гармоники коллекторного тока:
![]()
(В)
) Постоянная составляющая коллекторного тока:
Статья в тему
3D-MID области применения и технологии производства
В 80-х годах прошлого века 3D литые монтажные основания (3D molded
interconnect devices, 3D-MID) были провозглашены прорывом в электронике, даже
высказывались ожидания, что они заменят печатные платы. Но тогда прорыва не
произошло, что во многом объяснялось несовершенством технологии ...