Global Informatics
Таблица 3.6 - Таблица истинности для функции Uф2п
|
№ терма |
U1 |
U3 |
Q1 |
Q'1 |
Uф2п |
|
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
|
1 |
0 |
0 |
0 |
1 |
0 |
|
2 |
0 |
0 |
1 |
0 |
0 |
|
3 |
0 |
0 |
1 |
1 |
0 |
|
4 |
0 |
1 |
0 |
0 |
0 |
|
5 |
0 |
1 |
0 |
1 |
1 |
|
7 |
0 |
1 |
1 |
1 |
1 |
|
8 |
1 |
0 |
0 |
0 |
0 |
|
9 |
1 |
0 |
0 |
1 |
0 |
|
13 |
1 |
1 |
0 |
1 |
0 |
|
11 |
1 |
0 |
1 |
1 |
1 |
|
15 |
1 |
1 |
1 |
1 |
1 |
|
6 |
0 |
1 |
1 |
0 |
0 |
|
14 |
1 |
1 |
1 |
0 |
1 |
|
10 |
1 |
0 |
1 |
0 |
1 |
|
12 |
1 |
1 |
0 |
0 |
0 |
Статья в тему
Модуляционно-легированные транзисторы MODFET, биполярные транзисторы на гетеропереходах. Резонансный туннельный эффект
Высокая степень интеграции, характерная для современной кремниевой
технологии, не может быть достигнута при использовании полупроводниковых
соединений AIIIBV, однако эти соединения обеспечивают
большее быстродействие, прежде всего, за счет высокой подвижности р носителей и
меньши ...