Global Informatics
Рассчитаем вероятность ошибки в элементе Рэ, которая зависит от параметров распределения искажений и допустимой величины искажений μ:
,(1.9) |
где Ф1 и Ф2 - функции распределения типа нормированного центрированного нормального распределения, численные значения которых принимаются по данным справочника
Для определения графика зависимости Рэ = f(μ), где μ - допустимое значение искажений в пределах от 14 до 18 %. График зависимости Рэ = f(μ) представлен на рисунке 3.
Рисунок 3 - График зависимости Рэ = f(μ)
Выберем несколько μ по графику и данные зависимости Рэ = f(μ) занесем в таблицу 1.2.
Таблица 1.3 - Значения зависимости Рэ = f(μ) взятое в нескольких точках.
μ |
Рэ = f(μ) |
17 |
2.55110-8 |
20 |
5.65210-11 |
Рассчитаем вероятность ошибки в комбинации из n элементов при μ=17 по следующей формуле:
, где
j - кратность ошибки, т. е. количество неправильных разрядов в комбинации (блоке);- общее количество разрядов; n = k - для простого кода; n = k + r - для корректирующего кода (k и r - количество информационных и проверочных разрядов соответственно);
Р1, Р2, Рn - вероятности однократной, двукратной, n-кратной ошибки.
Пример расчета:
А также рассчитаем вероятность ошибки в комбинации из n элементов с исключением из общей суммы вероятностей вероятности однократной ошибки. Данные занесем в таблицу 1.3.
Таблица 1.4 - значения вероятностей ошибок в комбинации.
Вероятности ошибок |
Значение вероятностей ошибок |
P1 |
|
P2 |
|
P3 |
|
P4 |
0 |
P5 |
0 |
P6 |
0 |
P7 |
0 |
P8 |
0 |
P9 |
0 |
P10 |
0 |
P11 |
0 |
P11 |
0 |
|
|
Статья в тему
Оценка конструкторских и технологических параметров системы многослойных металлических межсоединений при разработке БИС
Транзистор
- одно из важнейших изобретений ХХ столетия, повлекшее за собой появление полупроводниковых
приборов и микросхем. Эти устройства стали основой электронных систем и привели
к проникновению электроники во все важнейшие для жизнедеятельности человека
отрасли - энергетик ...