Обработка результатов измерения искажений
-29,5 0 -9.702 1.448
10-211.19710-17
.064
|
-8 |
5 |
-2.654 |
0.012 |
4.747 | ||
|
-6 |
25 |
-1.999 |
0.054 |
21.822 | ||
|
-4 |
65 |
-1.343 |
0.162 |
65.262 | ||
|
-2 |
125 |
-0.688 |
0.315 |
126.988 | ||
|
0 |
155 |
-0.032 |
0.399 |
160.769 | ||
|
2 |
135 |
0.624 |
0.328 |
132.427 | ||
|
4 |
75 |
1.279 |
0.176 |
70.972 | ||
|
6 |
25 |
1.935 |
0.061 |
24.747 | ||
|
8 |
5 |
2.59 |
0.014 |
5.614 | ||
|
29,5 |
0 |
9.638 |
2.688 |
Сравним вероятность P(
c 0.01. P(
т.е. можно утверждать, что эмпирическое распределение краевых искажений соответствует нормальному закону с параметрами 
и 
.
Статья в тему
Модуляционно-легированные транзисторы MODFET, биполярные транзисторы на гетеропереходах. Резонансный туннельный эффект
Высокая степень интеграции, характерная для современной кремниевой
технологии, не может быть достигнута при использовании полупроводниковых
соединений AIIIBV, однако эти соединения обеспечивают
большее быстродействие, прежде всего, за счет высокой подвижности р носителей и
меньши ...