Синтез и обоснование элементов принципиальной схемы
Линии задержки в данной схеме удобно построить на базе D-триггеров. Для чего воспользуемся микросхемой К155ТМ2.
Таблица 2 Режимы работ микросхемы К155ТМ2
|
Режим работы |
Входы |
Выходы | |||||
|
| |||||||
|
Асинхронная установка |
0 |
1 |
x |
x |
1 |
0 | |
|
Асинхронный сброс |
1 |
0 |
x |
x |
0 |
1 | |
|
Неопределённость |
0 |
0 |
x |
x |
1 |
1 | |
|
Загрузка "1" |
1 |
1 |
1 |
↑ |
1 |
0 | |
|
Загрузка "0" |
1 |
1 |
0 |
↑ |
0 |
1 | |
DCQ
Микросхема ТМ2 содержит 2 независимых однотактных D-триггера, имеющих общую цепь питания. Состояния триггера представлены в таблице 2, основные параметры в таблице 3, а назначение выводов на рисунке 3.11.
Таблица 3 Основные параметры D-триггера
|
Uи.п. |
U0вых |
U1вых |
I0вх |
I0вых |
I1вых |
Iпот |
t0.1зд |
t1.0зд |
I1вх |
|
В |
В |
В |
мА |
мА |
мА |
мА |
нс |
нс |
мА |
|
5 |
0,4 |
2,4 |
-1,6 |
- |
- |
30 |
16 |
28 |
0,04 |
Статья в тему
Модуляционно-легированные транзисторы MODFET, биполярные транзисторы на гетеропереходах. Резонансный туннельный эффект
Высокая степень интеграции, характерная для современной кремниевой
технологии, не может быть достигнута при использовании полупроводниковых
соединений AIIIBV, однако эти соединения обеспечивают
большее быстродействие, прежде всего, за счет высокой подвижности р носителей и
меньши ...