Global Informatics

- Информатика и вычислительная техника

Разработка конструкторских мероприятий по обеспечению электромагнитной совместимости

До недавнего времени, представление ЭMC наблюдался лишь в отношении радиоэлектронных средств (РЭС), в процессе электромагнитного поля излучения. Тем не менее, в современном мире происходит быстрое развитие микроэлектроники и широкое внедрение своей продукции практически всех технических средств (ТС). Наличие таких средств, как правило, позволяет микроэлектронным компонентам выполнять функции управления и сохранения информации напрямую, что значительно повышает их чувствительность к воздействию электромагнитных полей или электромагнитных помех (EMI). Понятие «чувствительности к шуму" определяет способность транспортного средства, обрабатывать информацию, под воздействием электромагнитных помех, искажающих содержание или постоянной потери информации, остановить или нарушить управления ее обработки, изменить состав и последовательность функций средства и тому подобное, а также физического уничтожения микроэлементов. Это силы на работе устройств, для решения задач электромагнитной совместимости.

В широком смысле, проблема совместимости отдельных технических средств для создания условий, при которых она полностью совместима с окружающей средой, или, другими словами, защищена от внешних помех и не создает помехи другим оборудованием. Во всех случаях электромагнитные помехи происходят в присутствии трех факторов: TC-источник помех, его распределение температуры и технических средств, есть отношение восприимчивости к помехам (рецептор).

Нежелательные воздействия на рецептор могут быть прямыми или косвенными. При косвенных эффектах нет прямой передачи электромагнитных рецепторов энергии. В этом случае эффект интерференции заключается в изменении рабочей среды, параметры элементов, приборов, технических средств или режимы работы. Непосредственное влияние помех, вызванных передачей энергии от источника с рецептором или его излучение в пространство вокруг него, или через проводники (питания и заземления схемы подключения и коммутации линий, корпуса шасси и аппаратного обеспечения). В большинстве случаев происходит на практике объединенный путь, когда шум влияет на рецептор, распространяясь в пространстве, как электромагнитного поля так и электрического тока, наведенного в проводниках. Представляя собой отдельный черный ящик корабля (рис. 3.29), можно проследить возможные способы, как восприимчивость к помехам, и распространение своей помехи с другими аппаратами.

Рис. 3.29. Возможные пути чувствительностью к помехам ТС и возможности их защиты: VP - пространственной чувствительности, AC - восприимчивость проводящих, SP - пространственное излучение, ИК - излучения проводящих (на проводе)

Помехи передаваемые через проводники могут быть классифицированы по типу соединения: кондуктивные, емкостные (электрические) и индуктивные (магнитные).

Проводящее соединение является результатом омического контакта между аппаратными средствами (элементы их схемы или их соединительные провода и т.д.). Это может быть связано с гальванической связью и несовершенной изоляции или наличием общих схем земли, и т.д. емкостная связь является результатом паразитной емкости, а индуктивная - результат взаимной индуктивности между ТС-источником шума и TC-рецептором. Емкостная связь в основном обусловлена действием электрического поля, когда она находится в близи поле является преобладающей. Это относится к проводникам с большим сопротивлением "земли". Одним из примеров этого является многожильный кабель. Индуктивная связь осуществляется между низким сопротивлением проводников, имеющих малое сопротивление на "земле" и образуют форму петли (коробки), которые в настоящее время излучают магнитные поля.

Следует отметить некоторые условности классификации, как емкостные так и индуктивные помехи передаются с рецептором на самом деле на электроприбор, в котором они возбуждают соответствующие поля.

Перейти на страницу: 1 2 3 4 5

Статья в тему

Корректировка номиналов тонкоплёночных элементов гибридных интегральных схем
Сопротивление пленочного резистора определяется па формуле R=ρ0l/b= ρ0Kф (1.1) где ρ0 - удельное поверхностное сопротивление резистивной пленки; l, b - длина и ши ...

Главные разделы


www.globalinformatics.ru © 2019 - Все права защищены!