Расчет элементов усилителя мощности
Рис. 4.2 - Схема источника тока
Выбираем транзистор VT1’(рис.4.2) по предельным параметрам:
|
Uкэ > 2Е = 2·14,75=29,5 (В)(4.16) | |
|
Iк > Iо = 1 (мА) |
(4.17) |
|
Рк > E×Io =14,75· 1· 10-3 =15 (мВт) |
(4.17) |
Выбираем транзистор VT1’: КТ214В-1 (p-n-p) [2].
Таблица 4.3 - Параметры транзисторов
|
Uкэmax, (В) |
Iкmax, (мА) |
Pкmax, м(Вт) |
b = h21э | |
|
КТ214В-1 |
60 |
50 |
50 |
40 |
Выбираем ток делителя:
|
|
(4.19) |
(мА) и рассчитываем резисторы:
|
| |
|
|
(4.21) |
|
|
(4.22) |
(Ом)(4.20) 
(Ом) 
(Ом) Из ряда Е24 Выбираем резисторы R1’,R2’,R3’ [4]:’: МЛТ- 0.5 - 16 кОм ±5%.’: МЛТ- 0.5 - 43 кОм ±5%.’: МЛТ- 0.5 - 3,3 кОм ±5%.
Расчет второго источника тока на n-p-n транзисторе не отличается от выше представленного.
Выбираем транзистор VT2’: КТ215В-1 (n-p-n) [2].
Таблица 4.4 - Параметры транзисторов
|
Uкэmax, (В) |
Iкmax, (мА) |
Pкmax, м(Вт) |
b = h21э | |
|
КТ215В-1 |
60 |
50 |
50 |
40 |
Выбираем ток делителя:
|
|
(4.23) |
|
|
(4.24) |
Статья в тему
Схемы управления и обработки выходного сигнала прибора с зарядовой связью
Фото матрица ПЗС представляет собой микросхему средней интеграции, состоящую из четырёх основных секций - накопления, памяти, нижнего однострочного регистра и выходного устройства.
Во время активной части полукадра в секции накопления создается потенциальный рельеф, соответствующий распределению яр ...