Синтез схемы управления выходным устройством ПЗС

Задача выходного устройства превратить заряды, выводимые из нижнего регистра в напряжение видеосигнала.

На рисунке 3.28 показан принцип работы выходного устройства. Рисунок 3.28,а соответствует по времени III фазе работы нижнего регистра, рисунок 3.28,б I фазе, а рисунок 3.28,в II фазе работы выходного устройства . При этом выводимый заряд оказывается под последним затвором III фазы. На затвор транзистора сброса в это время поступает положительный импульс(p-подложка) который понижает барьер между областями (ямами) плавающей диффузионной области за счет чего заряд в левой части плавающей диффузионной области устанавливается равным напряжению питания правой ямы.

Рисунок 3.24- Временные диаграммы управляющих потенциалов для третей фазы нижнего регистра

Рисунок 3.25 - Карта Карно для нахождения сигнала, поступающего на вторую фазу нижнего регистра

Рисунок 3.26

Рисунок 3.27- Выходное устройство ПЗС

Рисунок 3.28- Принцип работы выходного устройства ПЗС

В течение I фазы подается импульс обеднения на выходной затвор, и заряд переливается из-под II фазы в яму под выходным затвором.

В следующий такт (II фаза) яма под выходным затвором исчезает и заряд переливается в плавающую диффузионную область, связанную с затвором выходного транзистора.

Такую последовательность импульсов можно получить при помощи JK-тригиров. Причем данные импульсы должны вырабатываться только во время прямого хода строчной развертки.

Спроектируем устройство для получения последовательности импульсов на выходном затворе, временные диаграммы показаны на рисунке 3.29. Таблица истинности показана в таблице 3.11

На карте Карно изображены несколько единичных областей(рисунок 3.30).

Таблица 3.11 - Таблица истинности для функции Uф1в

Статья в тему

Модуляционно-легированные транзисторы MODFET, биполярные транзисторы на гетеропереходах. Резонансный туннельный эффект
Высокая степень интеграции, характерная для современной кремниевой технологии, не может быть достигнута при использовании полупроводниковых соединений AIIIBV, однако эти соединения обеспечивают большее быстродействие, прежде всего, за счет высокой подвижности р носителей и меньши ...