Синтез схемы управления секцией накопления
На карте Карно изображены несколько единичных областей (рисунок 3.6).
Исходя из этого, минимальная конъюнктивная нормальная форма будет иметь вид:
Спроектируем устройство для получения последовательности импульсов на третей фазе секции накопления, временные диаграммы показаны на рисунке 3.7. Таблица истинности показана в таблице 3.4
Таблица 3.4 - Таблица истинности для функции Uф3н
|
№ термаU1Q2U2Uф3н | ||||
|
1 |
0 |
0 |
1 |
0 |
|
3 |
0 |
1 |
1 |
0 |
|
5 |
1 |
0 |
1 |
0 |
|
7 |
1 |
1 |
1 |
1 |
|
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
|
2 |
0 |
1 |
0 |
0 |
|
6 |
1 |
1 |
0 |
1 |
|
4 |
1 |
0 |
0 |
0 |
На карте Карно изображены несколько единичных областей (рисунок 3.8).
Исходя из этого, минимальная конъюнктивная нормальная форма будет иметь вид: Uф3н = 
.
На рисунке 3.9 изображена схема для получения последовательностей импульсов секциинакопления.
Рисунок 3.6 - Карта Карно для нахождения сигнала, поступающего на вторую фазу секции накопления
Рисунок 3.7 - Временные диаграммы управляющих потенциалов для третьей фазы секции накопления
Рисунок 3.8 - Карта Карно для нахождения сигнала, поступающего на третью фазу секции накопления
Рисунок 3.9
Статья в тему
Корректировка номиналов тонкоплёночных элементов гибридных интегральных схем
Сопротивление
пленочного резистора определяется па формуле
R=ρ0l/b=
ρ0Kф (1.1)
где
ρ0 - удельное
поверхностное сопротивление резистивной пленки;
l,
b - длина и ши ...