Синтез схемы управления секцией накопления
Спроектируем устройство для получения последовательности импульсов на первой фазе секции накопления, временные диаграммы показаны на рисунке 3.3. Таблица истинности показана в таблице 3.2
Таблица 3.2 - Таблица истинности для функции Uф1н
|
№ терма |
U1 |
Q0 |
U2 |
Uф1н |
|
1 |
0 |
0 |
1 |
1 |
|
3 |
0 |
1 |
1 |
1 |
|
5 |
1 |
0 |
1 |
0 |
|
7 |
1 |
1 |
1 |
1 |
|
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
|
2 |
0 |
1 |
0 |
0 |
|
6 |
1 |
1 |
0 |
1 |
|
4 |
1 |
0 |
0 |
0 |
На карте Карно изображены несколько единичных областей (рисунок 3.4).
Исходя из этого, минимальная конъюнктивная нормальная форма будет иметь вид:
Спроектируем устройство для получения последовательности импульсов на второй фазе секции накопления, временные диаграммы показаны на рисунке 3.5. Таблица истинности показана в таблице 3.3
Рисунок 3.3 - Временные диаграммы управляющих потенциалов для первой фазы секции накопления
Рисунок 3.4 - Карта Карно для нахождения сигнала, поступающего на первую фазу секции накопления
Рисунок 3.5 - Временные диаграммы управляющих потенциалов для второй фазы секции накопления
Таблица 3.3 - Таблица истинности для функции Uф2н
|
№ термаU1Q1U2Uф2н | ||||
|
1 |
0 |
0 |
1 |
0 |
|
3 |
0 |
1 |
1 |
0 |
|
5 |
1 |
0 |
1 |
0 |
|
7 |
1 |
1 |
1 |
1 |
|
0 |
0 |
0 |
0 |
1 |
|
2 |
0 |
1 |
0 |
1 |
|
6 |
1 |
1 |
0 |
1 |
|
4 |
1 |
0 |
0 |
0 |
Статья в тему
Модуляционно-легированные транзисторы MODFET, биполярные транзисторы на гетеропереходах. Резонансный туннельный эффект
Высокая степень интеграции, характерная для современной кремниевой
технологии, не может быть достигнута при использовании полупроводниковых
соединений AIIIBV, однако эти соединения обеспечивают
большее быстродействие, прежде всего, за счет высокой подвижности р носителей и
меньши ...