Расчётные формулы для элементов, соединённых последовательно в структурной схеме надёжности

вероятность безотказной работы последовательного соединения будет ниже, чем эта же вероятность у самого надежного элемента системы.

Статья в тему

Модуляционно-легированные транзисторы MODFET, биполярные транзисторы на гетеропереходах. Резонансный туннельный эффект
Высокая степень интеграции, характерная для современной кремниевой технологии, не может быть достигнута при использовании полупроводниковых соединений AIIIBV, однако эти соединения обеспечивают большее быстродействие, прежде всего, за счет высокой подвижности р носителей и меньши ...