Выбор и обоснование схемы электрической структурной

На основании вышеизложенных принципов в курсовом проекте была разработана схема электрическая структурная проектируемого устройства, показанная на рисунке 3.

Рисунок 3 - Схема электрическая структурная

Статья в тему

Модуляционно-легированные транзисторы MODFET, биполярные транзисторы на гетеропереходах. Резонансный туннельный эффект
Высокая степень интеграции, характерная для современной кремниевой технологии, не может быть достигнута при использовании полупроводниковых соединений AIIIBV, однако эти соединения обеспечивают большее быстродействие, прежде всего, за счет высокой подвижности р носителей и меньши ...