Технология изготовления диффузионых резисторов на основе кремния

Одним из основных достижений микроэлектроники является создание на основе фундаментальных и прикладных наук новой элементной базы интегральных микросхем.

Развитие вопросов проектирования и совершенствование технологии позволило в короткий срок создать высоко интегрированные функциональные узлы, например в виде больших (БИС), сверхбольших (СБИС), ультрабольших (УБИС) микросхем и программируемых устройств - микропроцессоров.

Интегральные изделия имеют малые габариты, экономное потребление энергоресурсов, низкую стоимость и высокую надежность, что позволило развить электронику в интегральную и функциональную микроэлектронику, далее в наноэлектронику.

Это в свою очередь создает базу интенсивного развития современного общества во всех сферах (медицина, информатика, автоматизация техпроцессов и др.).

• Основные положения теории диффузии
• Распределение примеси при диффузии
• Двухстадийная диффузия
• Диффузионные резиcторы

Статья в тему

Корректировка номиналов тонкоплёночных элементов гибридных интегральных схем
Сопротивление пленочного резистора определяется па формуле R=ρ0l/b= ρ0Kф (1.1) где ρ0 - удельное поверхностное сопротивление резистивной пленки; l, b - длина и ши ...