Технология изготовления диффузионых резисторов на основе кремния

Одним из основных достижений микроэлектроники является создание на основе фундаментальных и прикладных наук новой элементной базы интегральных микросхем.

Развитие вопросов проектирования и совершенствование технологии позволило в короткий срок создать высоко интегрированные функциональные узлы, например в виде больших (БИС), сверхбольших (СБИС), ультрабольших (УБИС) микросхем и программируемых устройств - микропроцессоров.

Интегральные изделия имеют малые габариты, экономное потребление энергоресурсов, низкую стоимость и высокую надежность, что позволило развить электронику в интегральную и функциональную микроэлектронику, далее в наноэлектронику.

Это в свою очередь создает базу интенсивного развития современного общества во всех сферах (медицина, информатика, автоматизация техпроцессов и др.).

• Основные положения теории диффузии
• Распределение примеси при диффузии
• Двухстадийная диффузия
• Диффузионные резиcторы

Статья в тему

Связной передатчик 156 МГц, 10Вт, G2B, F1D
Радио- это результат работ и открытий ряда учёных и инженеров, изучающих природу электромагнитных процессов. В конце девятнадцатого века Генрих Герц, пользуясь работами Максвелла, показал возможность излучения электромагнитной энергии проводом, по которому протекает переменный т ...