Основные положения теории диффузии

Диффузией называется процесс переноса атомов в результате теплового движения. Направленная диффузия атомов в твердом теле возникает при наличии градиента концентрации или градиента температур. В полупроводниковой промышленности чаще применяется направленная диффузия с использованием градиента концентрации примеси.

Оборудование (диффузионные печи) должно обеспечивать изотермический нагрев с точностью не хуже ± 0,5°С на уровне 1100°С. Это вызвано тем, что коэффициент диффузии зависит от температуры как

(1)

где D0 - постоянная, численно равная коэффициенту диффузии при бесконечно большой температуре; DE - энергия активации диффузии (для основных диффузантов в кремнии составляет 3,5 - 4,3 эВ); k - постоянная Больцмана, эВ/К; T - температура.

Статья в тему

Технология изготовления диффузионых резисторов на основе кремния
Одним из основных достижений микроэлектроники является создание на основе фундаментальных и прикладных наук новой элементной базы интегральных микросхем. Развитие вопросов проектирования и совершенствование технологии позволило в короткий срок создать высоко интегрированные функци ...