Алгоритм работы устройства и программное обеспечение

Применение микроконтроллера AT90S2313 позволило реализовать все задуманные режимы работы зарядного устройства, устройство получилось компактным, надежным, удобным для эксплуатации и простым в обращении.

Статья в тему

Модуляционно-легированные транзисторы MODFET, биполярные транзисторы на гетеропереходах. Резонансный туннельный эффект
Высокая степень интеграции, характерная для современной кремниевой технологии, не может быть достигнута при использовании полупроводниковых соединений AIIIBV, однако эти соединения обеспечивают большее быстродействие, прежде всего, за счет высокой подвижности р носителей и меньши ...