Расчёт площади, занимаемой межсоединениями кристалла

При оптимальном размещении логических элементов:

электрический поле межсоединение транзистор

Принимая условно магистральный способ передачи информации между элементами для получения минимального числа линий связи:

где - число линий связи в магистрали.

Для простоты можно считать, что .

Статья в тему

Модуляционно-легированные транзисторы MODFET, биполярные транзисторы на гетеропереходах. Резонансный туннельный эффект
Высокая степень интеграции, характерная для современной кремниевой технологии, не может быть достигнута при использовании полупроводниковых соединений AIIIBV, однако эти соединения обеспечивают большее быстродействие, прежде всего, за счет высокой подвижности р носителей и меньши ...