Химические методы подгонки

Основаны на использовании окислительно-восстановительных реакций, протекающих на поверхности пленок и внутри их. При этом изменяется удельное сопротивление материала резистора. Пленки подвергают обработке в растворах, выделяющих при нагреве атомарный кислород, что приводит к окислению поверхностных слоев. Если не все резисторы микросхемы требуют подгонки до номинала, микросхему покрывают защитным слоем лака, оставляя открытыми те резисторы, которые требуют подгонки. После подгонки лак удаляют.

Подгонку ТПР по всей площади резистивного слоя иногда проводят также окислением струей нагретого кислорода. Участок пленки, на котором происходит интенсивное окисление, не превышает 1 мм, точность подгонки не хуже +/- 10%.

лазерный конденсатор резистор электронный

Статья в тему

Комбинационная схема управляющая семисегментным индикатором
Микроэлектроника - это современная квинтэссенция электроники, в которой ее информационные свойства достигают максимума, то есть плотность потоков информации на единицу веса намного превосходят таковую в остальной электронике, а тем более в электротехнике. Задача микроэлектроники - су ...