Химические методы подгонки

Основаны на использовании окислительно-восстановительных реакций, протекающих на поверхности пленок и внутри их. При этом изменяется удельное сопротивление материала резистора. Пленки подвергают обработке в растворах, выделяющих при нагреве атомарный кислород, что приводит к окислению поверхностных слоев. Если не все резисторы микросхемы требуют подгонки до номинала, микросхему покрывают защитным слоем лака, оставляя открытыми те резисторы, которые требуют подгонки. После подгонки лак удаляют.

Подгонку ТПР по всей площади резистивного слоя иногда проводят также окислением струей нагретого кислорода. Участок пленки, на котором происходит интенсивное окисление, не превышает 1 мм, точность подгонки не хуже +/- 10%.

лазерный конденсатор резистор электронный

Статья в тему

Аналитический расчет усилителя напряжения низкой частоты на биполярных транзисторах
каскад транзистор мощность усилитель Несмотря на все более расширяющееся использование машинных методов схемотехнического проектирования современной электронной аппаратуры, в повседневной практике разработчикам электронных схем приходится вначале решать задачи приближенного расчета типовых узлов и ...