Global Informatics
Резистор металлодиэлектрический неизолированный;
Ряд Е192;
Максимальная температура: -60…+85 0С;
Диапазон номинального сопротивления, Ом: 10…1*106;
Номинальная мощность, Вт: 0,125;
Предельное напряжение, В: +0,1;+0,25;
Тип корпуса: С2-14.
С2-6 - резисторы R7, R13, R15, R23- R29:
Резистор металлодиэлектрический неизолированный;
Ряд Е192;
Максимальная температура: -60…+250 0С;
Диапазон номинального сопротивления, Ом: 100…1*106;
Номинальная мощность, Вт: 0,125;
Предельное напряжение, В: +5;+10;
Тип корпуса: С2-6.
ПКн 105 М-1…4 - переключатель кнопочный:
Коммутируемое напряжение, В: 1*104…36;
Ток, А: 1*10-6…4;
Максимальная коммутируемая мощность, Вт (ВА): 70;
Количество коммутационных циклов: 20000;
Тип корпуса: ПКн 105Н.
К155ЛА7 - микросхема DD1.1-DD1.2:
Номинальное напряжение питания: 5В+5%;
Входной ток низкого уровня: <0,4мА;
Входной ток высокого уровня: <0,04мА;
Входной пробивной ток: <1 мА;
Выходной ток высокого уровня: <0,04 мА;
Ток потребления при низком уровне выходного напряжения: <22 мА;
Ток потребления при высоком уровне выходного напряжения: <8 мА;
Потребляемая статическая мощность: <39,4 мВт;
Время задержки распространения при включении: <18нс;
Время задержки распространения при выключении: <60нс;
Тип корпуса: К155ЛА7.
TL494 - микросхема DD2:
Рабочая температура: -55…+1250С;
Температура хранения: -65…+1500С;
Напряжения на выводе: -0,5…Vcc + 0,5В;
Напряжение на выводе RESET относительно вывода GND: -0,5…+13В;
Напряжение питания: 6В;
Максимальный ток линии ввода/вывода: 60мА;
Максимальный ток выводов VCC и GND: 100мА;
Тип корпуса:Dip-8.
АТ90S8535 - микросхема DD3:
Рабочая температура: -55…+1250С;
Температура хранения: -65…+1500С;
Напряжения на выводе: -0,5…Vcc + 0,5В;
Напряжение на выводе RESET относительно вывода GND: -0,5…+13В;
Напряжение питания: 6В;
Максимальный ток линии ввода/вывода: 40мА;
Максимальный ток выводов VCC и GND: 200мА;
Тип корпуса:TQFP-44.
DV-16244 - микросхема DD4:
Доминантная длина волны: 635пм;
Напряжение питания: 2В;
Максимальный ток: 20мА;
Интенсивность свечения сегмента:9…12 мсд;
Мощность: 4мВт;
Тип корпуса:.
Статья в тему
Основные характеристики датчиков движения
Датчик
движения - это пироэлектрический детектор, служащий приемником волн
инфракрасного диапазона. Из курса физики мы знаем, что любое тело, нагретое до
определенной температуры, начинает излучать ИК волны. То есть, принцип работы
датчика движения основан на регистрации инфракрасных ...