Global Informatics

- Информатика и вычислительная техника

Определение элементной базы электронного устройства

При анализе элементной базы необходимо отметить конструктивные и электрические параметры элементов схемы. Типы корпусов элементов представлены в приложении А.

Д1N401- диоды VD1-VD4:

Обратное напряжение, В, Uмак=50В;

Ток, А, Iмак=0.1A;

Обратный ток, мкА, I= 0.4A;

Температура, оС, Тмак=100 оС;

Тип корпуса: D12.

КД501А - диоды VD5 -VD16 :

Обратное напряжение, В, Uмак=30В;

Ток, А, Iмак=0.5A;

Обратный ток, мкА, I= 0.5A;

Температура, оС, Тмак=100 оС;

Тип корпуса: D17.

КТ639Д - транзисторы VT2,VT3,VT5:

Проводимость: р - n - р;

Постоянное напряжение коллектор - эммитер: 45В;

Постоянный ток коллектора: 1,5(2,0) А;

Мощность коллектора: 1,0(6,0) Вт;

Обратный ток: 0,1 мкА;

Максимальная температура: 60…+125 0С;

Тип корпуса: КТ-27-2.

HT251 - транзисторы VT1,VT4:

Структура n-p-n;

Максимальное напряжение коллектор- эммитер Ukmax=45 B;

Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе

Коллектора и разомкнутой цепи эмиттера Uкбо макс=45 B;

Статический коэффициент передачи тока h21э =30 мин;

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора Pk=0,4 Вт;

Максимальный ток коллектора Ikmax=400 mA;

Максимальный нагрев корпуса Тmax=125 °С;

Частота F=200 МГц;

Корпус - 1HT251.

К10П-4 - конденсатор С1:

Конденсатор керамический проходной;

Максимальная температура: -60…+185 0С;

Диапазон номинальной емкости, мкФ: 3,9…8,9 пФ;

Номинальное напряжение, В: 350;

Допускаемые отклонения емкости, %: +0,5 пФ;

Группа ТКЕ: П100;

Тип корпуса: К10П - 4.

К50-46 - конденсаторы С2,С3,С4,С7,С6,С8:

Конденсатор оксидно-электролитический, аллюминевый, уплотненный, изолированный и неизолированный, полярный;

Максимальная температура: -40…+85 0С;

Диапазон номинальной емкости, мкФ: 22…1000 пФ;

Номинальное напряжение, В: 100;

Допускаемые отклонения емкости, %: +50…-20 пФ;

Тип корпуса: К50-46.

К10П-4 - конденсаторы С5,С6,С9,С10,С11,С12:

Конденсатор керамический проходной;

Максимальная температура: -60…+185 0С;

Диапазон номинальной емкости, мкФ: 22…43 пФ;

Номинальное напряжение, В: 350;

Допускаемые отклонения емкости, %: +6;+10;+20 пФ;

Группа ТКЕ: М750;

Тип корпуса: К10П - 4.

С2-33Н-0,125 - резисторы R1, R6, R8- R10, R16:

Резистор металлодиэлектрический неизолированный, предназначен для работы в электрических цепях постоянного, переменного, импульсивного тока;

Ряд Е96;

Максимальная температура: -60…+85 0С;

Диапазон номинального сопротивления, Ом: 1…3,01*106;

Номинальная мощность, Вт: 0,125;

Предельное напряжение, В: 200;

Допускаемые отклонения сопротивления, %: +1;+2;

Тип корпуса: С2-33Н.

С2-11 - резисторы R2, R3- R5, R21, R22:

Резистор металлодиэлектрический неизолированный;

Ряд Е24;

Максимальная температура: -60…+100 0С;

Диапазон номинального сопротивления, Ом: 1…100;

Номинальная мощность, Вт: 0,125;

Предельное напряжение, В: +1;+2;

Допускаемые отклонения сопротивления, %: +(100…1200);

Тип корпуса: С2-11.

С2-14-0,125 - резисторы R11, R12, R14, R17- R20:

Перейти на страницу: 1 2

Статья в тему

Сирена двухтональная сенсорная
Среди огромного разнообразия схемотехнических решений сирен, которые предлагает радиотехническая промышленность, особое место занимают недорогие сенсорные схемы дверных звонков, позволяющие на довольно простой и надёжной отечественной элементной базе реализовать функционально законче ...

Главные разделы


www.globalinformatics.ru © 2021 - Все права защищены!