Логический расчет

По результатам составления таблицы построим карты Карно размерности четыре на четыре, при помощи которых будем проводить минимизацию данных функций.

Заполним карты Карно для функций F1 и запишем упрощенное булево выражение:

=(0,1,3,7,9,12,13,15)

	CD	CD’	C’D’	C’D
AB	1			1
AB’	1		1	1
A’B’
A’B		1	1	1

Рисунок 2 - Карта Карно для функции F1

F1мднф = BD’ + AB’C’ + AD

Заполним карту Карно для функций F2 и запишем упрощенное булево выражение:

=(2,4,6,8,9,11,13)

	CD	CD’	C’D’	C’D
AB		1
AB’	1		1	1
A’B’		1
A’B		1	1

Рисунок 3 - Карта Карно для функции F2

логический блок карно карта

F2мднф = A’BD’+A’CD’+AB’C’+AB’D+AC’D

Заполним карту Карно для функции F3 и запишем упрощенное булево выражение:

=(1,3,5,7,8,10,12).

	CD	CD’	C’D’	C’D
AB			1
AB’		1	1
A’B’	1			1
A’B	1			1

Рисунок 4 - Карта Карно для функции F3

мднф = A’D+AB’D’+AC’D’

Проводим анализ на наличие одинаковых слагаемых в составе выражений всех МДНФ, что необходимо учитывать при построении схемы электрической функциональной, а именно чтобы избежать дублирования логических элементов, выполняющих идентичные операции с идентичными переменными.

Для реализации функций на логических элементах «И-НЕ» необходимо привести функции F1, F2, F3 к базису «И-НЕ»:

F1 = ((BD’)’ * (AB’C’)’ * (AD)’)’= ((A’BD’)’ * (A’CD’)’ * (AB’C’)’ * (AB’D)’ * (AC’D)’= ((A’D)’ * (AB’D’)’ * (AC’D’)’

Перейти на страницу: 1 2

Статья в тему

Модуляционно-легированные транзисторы MODFET, биполярные транзисторы на гетеропереходах. Резонансный туннельный эффект
Высокая степень интеграции, характерная для современной кремниевой технологии, не может быть достигнута при использовании полупроводниковых соединений AIIIBV, однако эти соединения обеспечивают большее быстродействие, прежде всего, за счет высокой подвижности р носителей и меньши ...

Главные разделы