Global Informatics
Методика дополнительной настройки схемы в условиях комнатной температуры следующая:
) При помощи регулировки R18 ("Крутизна") устанавливается диапазон изменения выходного сигнала (5 мА). Увеличение R18 приводит к сужению диапазона выходного сигнала, а уменьшение R18 - к расширению диапазона выходного сигнала. В реальных условиях входные сигналы 0.15823 В (полезный сигнал при 150 0С) и 0.19559 В (полезный сигнал при 250 0С) для настройки диапазона ИП подаются на зажимы "a" и "b" с выхода образцового источника постоянного напряжения. Для моделирования этой настройки просто задаем Rt1=Rt2=79,113 Ом, а затем Rt1=Rt2=97,7935 Ом. По итогам регулировки диапазон изменения выходного сигнала должен составлять 5 мА (устраняется мультипликативная погрешность ИП).
) При помощи регулировки R20 ("Смещение") выходная характеристика сдвигается в область положительных значений (при увеличении R20) или в область отрицательных значений (при уменьшении R20) без влияния на установленный ранее диапазон изменения выходного сигнала. При этом устраняется аддитивная погрешность ИП.
Промоделировав первый этап регулировки, получаем при R18=474,98 Ом:
Iout_150 = -0.0991∙10-3 А_250 = 4.9009∙10-3 А
ΔIout_all = Iout_250 - Iout_150 = 5.0000∙10-3 А (6.9.1)
Промоделировав второй этап регулировки, получаем при R20=482.23 Ом:
Iout_150 = 0.000038778∙10-3 А
Iout_250 = 5.0000∙10-3 А
ΔIout_all = Iout_250 - Iout_150 = 5.0000∙10-3 А (6.9.2)
Найдем реальное значение R18 с учетом дискретности регулирования:
R18var = 680 Ом
(6.9.3)
С учетом дискретности регулирования R18var, можно выставить следующие его значения, ближайшие к расчетному:
R18var_d1 = 474.98000 Омvar_d2 = 474.98000 Ом
Значение R18 после регулировки составит:
R18 = 474.980000 Ом
Найдем реальное значение R20 с учетом дискретности регулирования:
R20var = 680 Ом
(6.9.4)
С учетом дискретности регулирования R20var, можно выставить следующие его значения, ближайшие к расчетному:
R20var_d1 = 482.25600 Омvar_d2 = 482.22200 Ом
Т.к. R20var_d2 ближе к R20var_c, значение R18 после регулировки составит:
R20 = 482.222000 Ом
Итоговый анализ отрегулированной схемы ИП при R18=474.98 Ом и R20=482,222 Ом дает следующие результаты:
Iout_150 = 0.000038778 мА_250 = 5.0000 мА
ΔIout_all = Iout_250 - Iout_150 = 5.0000 - 0.000038778 = 5.0000 мА (6.9.5)
Вывод: аддитивная и мультипликативная погрешности ИП в условиях комнатной температуры могут быть устранены регулировкой R18 и R20.
Статья в тему
Модуляционно-легированные транзисторы MODFET, биполярные транзисторы на гетеропереходах. Резонансный туннельный эффект
Высокая степень интеграции, характерная для современной кремниевой
технологии, не может быть достигнута при использовании полупроводниковых
соединений AIIIBV, однако эти соединения обеспечивают
большее быстродействие, прежде всего, за счет высокой подвижности р носителей и
меньши ...