Некоторые свойства преобразований Фурье

Рисунок 19 - ФЧХ исходного сигнала Q(w), прямоугольного импульса Qpr(w) и суммарного сигнала Qsum(w)

Расщепление сигнала

S1(t)->S1(w)

S2(t)=S1(t)*cos(w0*t+θ0)

Θ0=02(w)= 1/2*S1(w-w0)+1/2*S1(w+w0)0= 100рад/c

Рисунок 20 - АЧХ исходного S(w) и расщепленного S1(w) сигналов

Рисунок 21 - ФЧХ исходного Q(w) и расщепленного Q1(w) сигналов

Статья в тему

Модуляционно-легированные транзисторы MODFET, биполярные транзисторы на гетеропереходах. Резонансный туннельный эффект
Высокая степень интеграции, характерная для современной кремниевой технологии, не может быть достигнута при использовании полупроводниковых соединений AIIIBV, однако эти соединения обеспечивают большее быстродействие, прежде всего, за счет высокой подвижности р носителей и меньши ...