Общие правила оформления технологических документов

Технологическая документация разрабатывается в виде комплекта документов. Виды технологических документов устанавливает ГОСТ 3.1102-81, состав, формы и правила оформления информационных блоков основной надписи - ГОСТ 3.1103-82, общие требования к документам, формам и бланкам - ГОСТ 3.1104-81, термины и определения основных понятий - ГОСТ 3.1109-82.

При составлении любого технологического документа обязательно указывают его назначение, область применения, список лиц, участвующих в оформлении документа, и другие сведения.

Каждому разработанному технологическому документу присваивается самостоятельное обозначение. Согласно ГОСТ 3.1201-85, установлена следующая структура обозначения документа:

Четырехзначный буквенный код организации-разработчика присваивается по классификатору предприятий и организаций. В учебных целях для курсовых проектов рекомендуется назначать код КПКП, для дипломного проекта - ДПКП.

Код характеристики документа расшифровывается следующим образом:

Порядковый регистрационный номер присваивают по классификационной характеристике от 00001 до 99999 в пределах кода организации-разработчика или организации, осуществляющей централизованное присвоение.

Операции нумеруют числами ряда арифметической прогрессии (5, 10, 15 и т.д.). Допускается к числам добавлять слева нули. Переходы нумеруют числами натурального ряда (1, 2, 3 и т.д.) в пределах данной операции. Установы нумеруют прописными буквами русского алфавита (А, Б, В и т.д.).

Допускается применять сокращенную запись наименований и обозначений, если в документе записаны коды или полные наименования и обозначения этих данных. При применении инструмента одного кода и наименования в разных переходах одной операции, не следующих друг за другом, в переходе, где впервые был применен данный инструмент, допускается указывать номера последующих переходов, например "ШЦ 11-250-0,05 (для переходов 3, 5, 8)". При этом, записывая соответствующую информацию в этих переходах, дают ссылку, например, "см. переход 1".

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В ходе прохождения производственной практики я ознакомилась со структурной организацией «Центра электронных технологий и технической диагностики технологических сред и твердотельных структур», где выполняются научно-исследовательские работы по ионно-лучевой, ионно-плазменной, плазмохимической, фотонной и электромагнитной обработке материалов и изделий электронной техники.

Изучила основные направления работы Лаборатории ионно-плазменных процессов формирования тонких пленок, где проводятся работы в области исследования и разработки устройств и технологий ионно-плазменного формирования тонкопленочных слоев для оптики, микро-, оптоэлектроники и износостойких, защитно-декоративных тонкопленочных структур. Получила возможность ознакомиться с рядом устройств, разработанных в данной лаборатории: ионно-лучевыми и ионно-плазменными аппаратами для технологии формирования тонких пленок: двухлучевыми ионными источниками, распыляющими ионные источники, ионными источниками для ионно-ассистированного нанесения слоев, магнетронными распылительными системами (МРС) и несбалансированными магнетронными распылительными системами (НМРС). Ознакомилась с нормативно-техническими документами, действующими в Центре.

Производственная практика позволила закрепить знания, полученные на протяжении обучения в университете.

Статья в тему

Модуляционно-легированные транзисторы MODFET, биполярные транзисторы на гетеропереходах. Резонансный туннельный эффект
Высокая степень интеграции, характерная для современной кремниевой технологии, не может быть достигнута при использовании полупроводниковых соединений AIIIBV, однако эти соединения обеспечивают большее быстродействие, прежде всего, за счет высокой подвижности р носителей и меньши ...