Расчет тонкопленочных конденсаторов

Для конденсатора С3: SB= 1848,08 /115050= см2

> 0.01 см2 - диэлектрик удовлетворяет требуемым исходным данным.

Определяем габаритные размеры АВ и ВВ верхней обкладки конденсатора.

Для конденсатора прямоугольной формы размеры обкладки определяются выбранным коэффициентом формы Кф= Ав/Вв, задаваясь, с учетом технологических требований и ограничений, размером Вв. Тогда:

Так как выбран конденсатор квадратной формы, для которого Кф =1 то:

Для конденсатора С1: см;

Для конденсатора С2: см.

Для конденсатора С3: см.

Рассчитываем габаритные размеры АН и ВН нижней обкладки конденсатора.

Для конденсатора квадратной формы:

ΑΗ = ΒΗ = ΑΒ+2σ,

где: σ ≥ 200 мкм - технологическое ограничение на перекрытие обкладокконденсатора.

Для конденсатора С1: ΑΗ = ΒΗ= + · = см;

Для конденсатора С2: ΑΗ = ΒΗ= + · = см;

Для конденсатора С3: ΑΗ = ΒΗ= + ·= см;

Определяем габаритные размеры АД и ВД диэлектрика.

Для конденсатора квадратной формы

АД = ВД = АН+2g

где: g ≥ 100 мкм - технологическое ограничение на перекрытие нижней обмотки конденсатора диэлектриком.

Для конденсатора С1: АД = ВД = + ·= см;

Для конденсатора С2: АД = ВД = + ·= см;

Для конденсатора С3: АД = ВД = + · = см;

Статья в тему

Схемы управления и обработки выходного сигнала прибора с зарядовой связью
Фото матрица ПЗС представляет собой микросхему средней интеграции, состоящую из четырёх основных секций - накопления, памяти, нижнего однострочного регистра и выходного устройства. Во время активной части полукадра в секции накопления создается потенциальный рельеф, соответствующий распределению яр ...