Технологические требования и ограничения

2. Компоненты необходимо по возможности располагать рядами, параллельными сторонам платы и одинаково ориентированными.

3. Не допускается монтаж компонентов на пленочные конденсаторы и пересечения проводников.

. Периферийные контактные площадки располагают по четырем или двум противоположным сторонам платы.

. Шаг расположения контактных площадок соответствует ряду 0,625; 1,250 и 2,500 мм (для бескорпусной защиты) или расположению выводов корпуса (для корпусной защиты).

. Пленочная и гибридная ИМС должны иметь ключ - увеличенную контактную площадку или специальный знак, который должен располагаться в левом нижнем углу на большей стороне платы, ключ вычерчивается в процессе проектирования топологии ИМС.

Пассивные элементы, к точности которых предъявляются жесткие требования, располагаются на расстоянии 500 мкм при масочном методе и 200 мкм при фотолитографии от краев и осевых линий прижимных перегородок.

Для совмещения элементов, расположенных в разных слоях, предусматривается перекрытие не менее 200 мкм при масочном и совмещенном методах и менее 100 мкм при фотолитографии.

1. Для измерения номиналов пленочных элементов и контроля режимов схемы предусматриваются контактные площадки размером не менее 200×200 мкм.

2. Минимально допустимое расстояние между пленочными элементами (в том числе, и контактными площадками) составляет 300 мкм при масочном методе и 100 мкм при фотолитографии.

. Минимальное номинальное значение сопротивления пленочного резистора устанавливается в 50 Ом, при этом длина резистора не должна быть менее 100 мкм.

. Минимально допустимая ширина пленочных резисторов составляет 100 мкм при масочном методе и фотолитографии и 50 мкм при танталовой технологии.

. Нижняя обкладка конденсатора должна выступать за край верхней обкладки не менее чем на 200 мкм, диэлектрик должен выступать за край нижней обкладки не менее чем на 100 мкм (исключение составляют конденсаторы, образованные пересечением двух полосок).

. Минимально допустимая ширина пленочных проводников составляет 100 мкм при масочном методе и 50 мкм при фотолитографии и танталовой технологии.

. Минимально допустимое расстояние между пленочными элементами, расположенными в разных слоях, составляет 200 мкм при масочном и совмещенном методах и 100 мкм при фотолитографии и танталовой технологии.

. Минимально допустимые размеры контактных площадок составляют: при приварке гибких выводов 200×150 мкм, для припайки 400×400 мкм.

. Не рекомендуется проектировать пленочные резисторы с числом квадратов менее 0,1 и конденсаторы с площадями менее 0,5×0,5 мм и суммарной площадью более 2 см.

Статья в тему

Определение номера абонента в телефонной сети и его вычисление в десятичной системе
По списочному номеру абонента (100001) определить данный номер в станционном логическом виде по файлу 63Н и вычислить его в десятичной системе. Измерим абонентскую линию набором директивы: PLM : SUB = 100001, Для вывода данных о нумерации абонента набираем директиву: ...