Global Informatics
Построение ЖФЧХ и ЖЛАЧХ показали, что запасы устойчивости по амплитуде и по фазе улучшились. Запас устойчивости по фазе: Δφж = 750. Запас устойчивости по амплитуде определяется превышением Lж над 20lg 0 на частоте пересечения jж с осью 180°. Так как jж не достигает 180°, находясь выше этого значения, то запас устойчивости по амплитуде: ΔА = ¥.
Таким образом, получена система с характеристиками лучшими, чем у реальной с большим запасом устойчивости по фазе и бесконечным по амплитуде.
Желаемая система получается из реальной путем введения корректирующего устройства.
Рисунок 6 - Построение ЖЛАЧХ, ЖФЧХ, ЛАЧХ КУ
Статья в тему
Модуляционно-легированные транзисторы MODFET, биполярные транзисторы на гетеропереходах. Резонансный туннельный эффект
Высокая степень интеграции, характерная для современной кремниевой
технологии, не может быть достигнута при использовании полупроводниковых
соединений AIIIBV, однако эти соединения обеспечивают
большее быстродействие, прежде всего, за счет высокой подвижности р носителей и
меньши ...