Проектирование блока питания

По каналам:

Канал U:

мА,

В.

Трансформатор подбирается по вторичным параметрам U2 и I2, рекомендуется использовать многообмоточные унифицированные трансформаторы ТПП для питания устройств на полупроводниковых приборах.

Выбираем по справочнику[ 3 ] трансформатор ТПП на 50 Гц, 127/220 В на стержневых сердечниках ПЛМ, конструкция - с уменьшенным расходом меди: ТПП304. Его параметры:

Рисунок12.4 - Трансформатор.

Трансформатор ТПП304 имеет шесть обмоток. При использовании трансформатора ТПП304 - 127/220 В со стержневыми сердечниками ПЛМ на 220 В необходимо: соединить выводы 3 и 9 или 4 и 8, подать напряжение 220 В на выводы 2 и 7.

а обмотки 11-12,17-18,13-14,19-20,15-16,21-22 на 17,37В используем для питания ОУ.

Расчет ёмкостей фильтра выпрямителей:

Сф = tр / (2 ∙ Кп ∙ Rн),

где tр = 0,007 с, а Rн есть отношение:

Rн = Uвхст / Iвхст.

От выпрямителей идёт ветвления на 2 канала:

Канал U:

Ом.

Ёмкость фильтров по каналам:

Канал U:

мкФ.

Выбираем танталовый оксидно-полупрводниковый конденсатор[1]

К53 - 1А - 20 В - 47 мкФ ± 10 %.

Заключение

В результате данного курсового проекта нами был спроектирован измерительный преобразователь для термопреобразователя сопротивления.

Эксплуатационные характеристики устройства полностью соответствуют требованиям, содержащимся в задании. К недостаткам разработанного устройства можно отнести значительное количество типономиналов элементов, причём большинство из них должны быть прецизионными, т.к. схема чувствительна к разбаллансу элементов. Путем улучшения ситуации является более широкое применение интегральных микросхем, в частности, ИОН AD581U и инструментального усилителя AD620, т.к. в интегральной технологии элементы их структуры практически идентичны.

Тем не менее, данный ИП имеет возможность гибкой подстройки смещения и крутизны выходной характеристики, что говорит о возможности использования элементов с большим процентным допуском разброса номиналов.

Область применения данного ИП довольно широка: он может применяться везде, где необходимо измерение температуры данного диапазона, с высокой точностью измерения.

Статья в тему

Модуляционно-легированные транзисторы MODFET, биполярные транзисторы на гетеропереходах. Резонансный туннельный эффект
Высокая степень интеграции, характерная для современной кремниевой технологии, не может быть достигнута при использовании полупроводниковых соединений AIIIBV, однако эти соединения обеспечивают большее быстродействие, прежде всего, за счет высокой подвижности р носителей и меньши ...