Микросхемы

Синтезатор частоты LM7001J

Микросхемы LM7001J и LM7001JM предназначены для построения частотных синтезаторов с ситемой ФАПЧ, применяемых в бытовых радиоприемных устройствах.

Обе микросхемы идентичны по схеме и параметрам и отличаются лишь конструкцией корпуса - у LM7001J корпус DIP16 для обычного монтажа (рисунок 3.4), у LM7001JM - MFP20 для поверхностного (оба платмассовые).

Рисунок 3.4 - конструкция корпуса LM7001J

Цоколевка микросхемы представлена в таблице 3.2. Выводы Xout и Xin - выход и вход усилителя сигнала образцовой частоты; к этим выводам подключают кварцевый резонатор. СЕ - вход сигнала разрешения записывания. CL - вход тактовых импульсов записывания. Data - информационный вход. SC - Syncro Control - выход сигнала контрольной частоты 400 кГц. BSout1 - BSin1 - band-switching - выходы управления внешними устройствами (выход BSout1, кроме этого, - выход сигнала частоиы 8 Гц); с помощью этих сигналов выполняется коммутация диапазонов. AMin и FMin - входы программируемого делителя частоты, иначе говоря, входы сигналов АМ и ЧМ. Pd1 и Pd2 - выходы частотно-фазового детектора в режимах FM и АМ соответственно.

Таблица 3.2 - цокалевка микросхемы

Основные технические характеристики

Номинальное напряжение, В 4,5…6,5

Входное напряжение высокого уровня, В, по входам СЕ, CL, Data 2,2…6,5

Входное напряжение низкого уровня, В, по входам СЕ, CL, Data 0…0,7

Максимально допустимое напряжение, подводимое к выходу SC, B 6,5

Максимально допустимое напряжение, подводимое к выходу BSout1 - BSout3, B 13

Максимально допустимый выходной ток выхода SC, мА 3

Максимально допустимый входной ток входов BSout1 - BSout3, мА 3

Частотный интервал входа AMin, МГц 0,5…10

Частотный интервал входа FMin, МГц, при шаге састотной сетки

, 50, 100 кГц 45…130

, 5, 9, 10 кГц 5…30

Чувствительность по входам AMin и FMin, В(эфф.) 0,1…1,5

Общий потребляемй ток, мА 40

электронный микроконтроллер синтезатор частота

Стабилизатор напряжения 78L05

Служит для преобразования и стабилизации напряжения 12В > 5В, необходимого для питания микроконтроллера.

Статья в тему

Модуляционно-легированные транзисторы MODFET, биполярные транзисторы на гетеропереходах. Резонансный туннельный эффект
Высокая степень интеграции, характерная для современной кремниевой технологии, не может быть достигнута при использовании полупроводниковых соединений AIIIBV, однако эти соединения обеспечивают большее быстродействие, прежде всего, за счет высокой подвижности р носителей и меньши ...