Анализ выполненных расчетов

В расчётах была произведена оптимизация чипа, а именно уменьшение шага трасс металлизации. При этом появился один «запасной» слой который при дальнейшей разработке позволит разгрузить нижние слои и тем самым ещё больше оптимизировать чип или добавить функционала.

. Заключение

Классические КМОП-транзисторные структуры при уменьшении размеров их элементов приобретают принципиальные физические, технологические и экономические ограничения. По мере приближения уровня КМОП-технологии к таким ограничениям наблюдается либо резкое сокращение темпов уменьшения топологических норм, либо ввод ряда новых технологических элементов, строго говоря, кардинально изменяющих конструкцию транзисторных структур и отодвигающих таким образом принципиальные физические, технологические и экономические ограничения. КМОП-технология при сохранении настоящих темпов развития должна подойти к этому уровню в ближайшее десятилетие. Чтобы не допустить замедления темпов совершенствования микросхем, а следовательно, и снижения экономической эффективности их производства, ведущие специалисты компаний, университетов и научных центров интенсивно исследуют принципиальные ограничения транзисторных структур и возможности их технологической модернизации с целью обхода или продления сроков вступления этих ограничений в силу

Статья в тему

Корректировка номиналов тонкоплёночных элементов гибридных интегральных схем
Сопротивление пленочного резистора определяется па формуле R=ρ0l/b= ρ0Kф (1.1) где ρ0 - удельное поверхностное сопротивление резистивной пленки; l, b - длина и ши ...