Global Informatics
где
- число слоев,
- эффективная площадь кристалла.
Полученное количество слоев металлизации больше допустимого. Поэтому попробуем уменьшение шага трасс металлизации. Примем
.
Тогда
и
При этом:
Площадь сечения металлизации уменьшается на коэффициент
, а плотность тока увеличивается на этот же коэффициент. Получаем
что укладывается в заданные параметры.
Десятый слой остаётся свободным, на котором можно разместить контактные площадки и часть разводки, для разгрузки нижних слоёв, с большим шагом.
Статья в тему
Электромеханическая следящая система с потенциометрическим измерительным устройством
Пояснительная записка содержит 7 разделов, в которых описывается последовательность исследования системы на устойчивость, выбор и определение параметров корректирующего устройства, а также нахождение необходимых критериев устойчивости.
Рисунок 1 - Принципиальная схема САУ
В данной курсовой работ ...