Global Informatics
где
- число слоев,
- эффективная площадь кристалла.
Полученное количество слоев металлизации больше допустимого. Поэтому попробуем уменьшение шага трасс металлизации. Примем
.
Тогда
и
При этом:
Площадь сечения металлизации уменьшается на коэффициент
, а плотность тока увеличивается на этот же коэффициент. Получаем
что укладывается в заданные параметры.
Десятый слой остаётся свободным, на котором можно разместить контактные площадки и часть разводки, для разгрузки нижних слоёв, с большим шагом.
Статья в тему
Центр электронных технологий и технической диагностики технологических сред и твердотельных структур
Целью
производственной практики является приобретение профессиональных навыков,
закрепление и углубление теоретических навыков в области проектирования и
технологии изготовления РЭС, применение полученных знаний при решении
конкретных задач проектирования РЭС и технологических процес ...