Global Informatics
где
- число слоев,
- эффективная площадь кристалла.
Полученное количество слоев металлизации больше допустимого. Поэтому попробуем уменьшение шага трасс металлизации. Примем
.
Тогда
и
При этом:
Площадь сечения металлизации уменьшается на коэффициент
, а плотность тока увеличивается на этот же коэффициент. Получаем
что укладывается в заданные параметры.
Десятый слой остаётся свободным, на котором можно разместить контактные площадки и часть разводки, для разгрузки нижних слоёв, с большим шагом.
Статья в тему
Строительство новой АМТСЭ на базе оборудования SI-2000
Широкое внедрение цифровой и вычислительной техники в системе
связи обусловило необходимость ориентации и подготовки студентов на
перспективную технику коммутации и управления, на внедрение достижений
микропроцессорной техники в системе коммутации. Данная работа закладывает
фундамент ...