Global Informatics
где
- число слоев,
- эффективная площадь кристалла.
Полученное количество слоев металлизации больше допустимого. Поэтому попробуем уменьшение шага трасс металлизации. Примем
.
Тогда
и
При этом:
Площадь сечения металлизации уменьшается на коэффициент
, а плотность тока увеличивается на этот же коэффициент. Получаем
что укладывается в заданные параметры.
Десятый слой остаётся свободным, на котором можно разместить контактные площадки и часть разводки, для разгрузки нижних слоёв, с большим шагом.
Статья в тему
Коммуникация как фактор развития современного общества проблемы и перспективы
Современный
мир труден и многообразен, динамичен и пронизан противоборствующими
тенденциями. Но при всей противоречивости он взаимозависим и во многом
целостен. Внутри современного общества происходит динамичное развитие
общественных отношений, которое сопровождается углублением отно ...