Global Informatics
где - число слоев,
- эффективная площадь кристалла.
Полученное количество слоев металлизации больше допустимого. Поэтому попробуем уменьшение шага трасс металлизации. Примем .
Тогда
и
При этом:
Площадь сечения металлизации уменьшается на коэффициент , а плотность тока увеличивается на этот же коэффициент. Получаем
что укладывается в заданные параметры.
Десятый слой остаётся свободным, на котором можно разместить контактные площадки и часть разводки, для разгрузки нижних слоёв, с большим шагом.
Статья в тему
Схема электрическая формирователя остатка по модулю
Особенностью подобного вида контроля является то, что с его
помощью решается сравнительно несложная задача - убедиться в неизменности
передаваемой информационной комбинации или восстановить эту информацию, если в
ней произошли искажения. Совсем другие требования возникают при контроле ...