Global Informatics
где
- число слоев,
- эффективная площадь кристалла.
Полученное количество слоев металлизации больше допустимого. Поэтому попробуем уменьшение шага трасс металлизации. Примем
.
Тогда
и
При этом:
Площадь сечения металлизации уменьшается на коэффициент
, а плотность тока увеличивается на этот же коэффициент. Получаем
что укладывается в заданные параметры.
Десятый слой остаётся свободным, на котором можно разместить контактные площадки и часть разводки, для разгрузки нижних слоёв, с большим шагом.
Статья в тему
Анализ деятельности ОАО ЗМУ КЧХК
В соответствии с учебным планом я походил производственную практику в ОАО «ЗМУ КЧХК».
Я был принят для прохождения производственной практики в штат лаборатории автоматизации на должность инженера по автоматизации и механизации производственных процессов (АМПП).
Совместно с руководителе ...