Global Informatics
Сопротивление рассчитывается по формуле:
где
подвижность свободных носителей для кремния
удельная ёмкость подзатворного диэлектрика
толщина подзатворного диэлектрика
диэлектрическая проницаемость вакуума
диэлектрическая проницаемость SiO2
Для расчёта примем
отношение ширины канала к длине канала
разность между напряжением затвор-исток транзистора и пороговым напряжением
Статья в тему
Центр электронных технологий и технической диагностики технологических сред и твердотельных структур
Целью
производственной практики является приобретение профессиональных навыков,
закрепление и углубление теоретических навыков в области проектирования и
технологии изготовления РЭС, применение полученных знаний при решении
конкретных задач проектирования РЭС и технологических процес ...