Global Informatics
Сопротивление рассчитывается по формуле:
где
подвижность свободных носителей для кремния
удельная ёмкость подзатворного диэлектрика
толщина подзатворного диэлектрика
диэлектрическая проницаемость вакуума
диэлектрическая проницаемость SiO2
Для расчёта примем
отношение ширины канала к длине канала
разность между напряжением затвор-исток транзистора и пороговым напряжением
Статья в тему
Оценка конструкторских и технологических параметров системы многослойных металлических межсоединений при разработке БИС
Транзистор
- одно из важнейших изобретений ХХ столетия, повлекшее за собой появление полупроводниковых
приборов и микросхем. Эти устройства стали основой электронных систем и привели
к проникновению электроники во все важнейшие для жизнедеятельности человека
отрасли - энергетик ...