Расчёт сопротивления открытого транзистора с целью дальнейшего определения тока, протекающего через транзистор и усредненную полоску металлизации, для возможности выбора материала металлизации

Сопротивление рассчитывается по формуле:

где

подвижность свободных носителей для кремния

удельная ёмкость подзатворного диэлектрика

толщина подзатворного диэлектрика

диэлектрическая проницаемость вакуума

диэлектрическая проницаемость SiO2

Для расчёта примем

отношение ширины канала к длине канала

разность между напряжением затвор-исток транзистора и пороговым напряжением

Статья в тему

Схемы управления и обработки выходного сигнала прибора с зарядовой связью
Фото матрица ПЗС представляет собой микросхему средней интеграции, состоящую из четырёх основных секций - накопления, памяти, нижнего однострочного регистра и выходного устройства. Во время активной части полукадра в секции накопления создается потенциальный рельеф, соответствующий распределению яр ...