Выполнение условия сильного электрического поля в канале МОП транзистора

Критерий сильного поля

где - скорость звука

Напряжённость в канале:

Условия сильного поля в канале выполняются, следовательно, скорость электронов в канале принимается равной скорости насыщения.

Время пролета носителей в канале МОП транзистора

Для сильных полей используется формула:

Для кремния при комнатной температуре

Статья в тему

Трехзвенный Г-образный фильтр верхних частот
Рис. 1 Электрическая принципиальная схема Задание: Расчет АЧХ, ФЧХ и переходной характеристики трехзвенного Г-образного фильтра. Варианты: С [мкФ] R [кОм] Вариант С [мкФ] R [кОм] 1 ...