Выполнение условия сильного электрического поля в канале МОП транзистора

Критерий сильного поля

где - скорость звука

Напряжённость в канале:

Условия сильного поля в канале выполняются, следовательно, скорость электронов в канале принимается равной скорости насыщения.

Время пролета носителей в канале МОП транзистора

Для сильных полей используется формула:

Для кремния при комнатной температуре

Статья в тему

Конструкторское проектирование микроконтроллерной системы формирования цифрового кода аналогового сигнала с применением САПР Proteus VSM
Актуальность использования автоматизированного проектирования печатных плат заключается в том, что в настоящее время практически во всех областях деятельности человека, касающихся высокопроизводительного прецизионного оборудования, робототехнических комплексов и вычислительной техники ...