Global Informatics

- Информатика и вычислительная техника

Выполнение условия сильного электрического поля в канале МОП транзистора

Критерий сильного поля

где - скорость звука

Напряжённость в канале:

Условия сильного поля в канале выполняются, следовательно, скорость электронов в канале принимается равной скорости насыщения.

Время пролета носителей в канале МОП транзистора

Для сильных полей используется формула:

Для кремния при комнатной температуре

Статья в тему

Безопасность в Internet
Несанкционированный доступ к информации в компьютерных сетях превратился сегодня в одну из серьезнейших проблем, стоящих на пути развития телекоммуникационной среды и информационной инфраструктуры общества. Страны, где вычислительные системы и компьютерные сети проникли во все сферы человеческой дея ...

Главные разделы


www.globalinformatics.ru © 2026 - Все права защищены!