Global Informatics

- Информатика и вычислительная техника

Выполнение условия сильного электрического поля в канале МОП транзистора

Критерий сильного поля

где - скорость звука

Напряжённость в канале:

Условия сильного поля в канале выполняются, следовательно, скорость электронов в канале принимается равной скорости насыщения.

Время пролета носителей в канале МОП транзистора

Для сильных полей используется формула:

Для кремния при комнатной температуре

Статья в тему

Графоаналитический расчет звукоизоляции ограждающих конструкций помещения
звукоизоляция защита информация безопасность Аттестация объекта информатизации по требованиям безопасности информации представляет собой комплекс организационно-технических мероприятий, в результате которых подтверждается, что на аттестационном объекте выполнены требования по безопасно ...

Главные разделы


www.globalinformatics.ru © 2026 - Все права защищены!