Выполнение условия сильного электрического поля в канале МОП транзистора

Критерий сильного поля

где - скорость звука

Напряжённость в канале:

Условия сильного поля в канале выполняются, следовательно, скорость электронов в канале принимается равной скорости насыщения.

Время пролета носителей в канале МОП транзистора

Для сильных полей используется формула:

Для кремния при комнатной температуре

Статья в тему

Строительство новой АМТСЭ на базе оборудования SI-2000
Широкое внедрение цифровой и вычислительной техники в системе связи обусловило необходимость ориентации и подготовки студентов на перспективную технику коммутации и управления, на внедрение достижений микропроцессорной техники в системе коммутации. Данная работа закладывает фундамент ...