Global Informatics

- Информатика и вычислительная техника

Выполнение условия сильного электрического поля в канале МОП транзистора

Критерий сильного поля

где - скорость звука

Напряжённость в канале:

Условия сильного поля в канале выполняются, следовательно, скорость электронов в канале принимается равной скорости насыщения.

Время пролета носителей в канале МОП транзистора

Для сильных полей используется формула:

Для кремния при комнатной температуре

Статья в тему

Усилительный каскад на биполярном транзисторе
Целью данной работы является расчет и проектирование усилительного каскада на биполярном транзисторе со следующими заданными параметрами: 1. Диапазон рабочих частот 2. Допустимые частотные искажения 3. Сопротивление источника сигнала и нагрузки 4. Коэфф ...

Главные разделы


www.globalinformatics.ru © 2026 - Все права защищены!