Global Informatics

- Информатика и вычислительная техника

Выполнение условия сильного электрического поля в канале МОП транзистора

Критерий сильного поля

где - скорость звука

Напряжённость в канале:

Условия сильного поля в канале выполняются, следовательно, скорость электронов в канале принимается равной скорости насыщения.

Время пролета носителей в канале МОП транзистора

Для сильных полей используется формула:

Для кремния при комнатной температуре

Статья в тему

Аналитический расчет усилителя напряжения низкой частоты на биполярных транзисторах
каскад транзистор мощность усилитель Несмотря на все более расширяющееся использование машинных методов схемотехнического проектирования современной электронной аппаратуры, в повседневной практике разработчикам электронных схем приходится вначале решать задачи приближенного расчета типовых узлов и ...

Главные разделы


www.globalinformatics.ru © 2025 - Все права защищены!