Global Informatics
Дифференциальное КУ №1.
Реализуем его с помощью параллельного соединения. По ЛАЧХ корректирующего устройства видно, что Т1=0,1 и Т2=0,01.
Дифференциальное КУ №2.
Реализуем с помощью параллельной связи. Из ЛАЧХ следует, что Т1=0,08 и Т2=0,005
Интегрирующее КУ.
Реализуем на гибкой обратной связи.
Статья в тему
Модуляционно-легированные транзисторы MODFET, биполярные транзисторы на гетеропереходах. Резонансный туннельный эффект
Высокая степень интеграции, характерная для современной кремниевой
технологии, не может быть достигнута при использовании полупроводниковых
соединений AIIIBV, однако эти соединения обеспечивают
большее быстродействие, прежде всего, за счет высокой подвижности р носителей и
меньши ...