Global Informatics
Сопоставимость сравниваемых вариантов изделия является одним из важнейших условий при расчете экономического эффекта. Приведем оба варианта к сопоставимости по конечному полезному результату согласно принятой методике. Исходные данные представлены в таблице 3.2.1.
Таблица 3.2.1. − Технические параметры сравниваемых приборов
|
Показатели |
Значения показателей | ||
|
проект |
аналог |
эталон | |
|
Количество каналов, шт. |
5 |
3 |
2 |
|
Номинальный ток, А. |
30 |
25 |
10 |
|
Потребляемый ток в активном режиме, мА. |
800 |
1000 |
2000 |
|
КПД, % |
90 |
50 |
60 |
Определим относительные значения параметров приборов и коэффициенты их весомости. Расчет ведем по формулам:
где
- значение каждого i-гo параметра сравниваемых аналога, проекта и эталонного изделий.
Результаты вычислений заносим в таблицу 3.2.2.
Таблица 3.2.2. − Расчет коэффициентов технического уровня и весомости параметров приборов
|
Показатели |
Относительные значения показателей |
Коэффициент весомости | |
|
проект |
аналог | ||
|
Количество каналов , шт. |
2.5 |
1.5 |
0,4 |
|
Номинальный ток, А. |
3.0 |
2.5 |
0,1 |
|
Потребляемый ток в активном режиме, мА. |
0,4 |
0.5 |
0,1 |
|
КПД, % |
1,5 |
0,8 |
0,4 |
Определим коэффициенты технического уровня:
(3.15)
Определим коэффициент эквивалентности технического уровня приборов:
(3.16)
где
- коэффициент технического уровня нового изделия;
- коэффициент технического уровня аналога.
Определим коэффициент, учитывающий надежность прибора:
(3.17)
где
- наработка на отказ нового изделия;
- наработка на отказ аналога, ч.
Находим интегральный показатель качества:
(3.18)
Экономическое обоснование целесообразности производства проектируемого изделия осуществляется на основе экономического эффекта как разницы в ценах потребления. Экономический эффект рассчитаем исходя из минимума затрат на производство и эксплуатацию устройства в течение всего жизненного цикла.
Статья в тему
Модуляционно-легированные транзисторы MODFET, биполярные транзисторы на гетеропереходах. Резонансный туннельный эффект
Высокая степень интеграции, характерная для современной кремниевой
технологии, не может быть достигнута при использовании полупроводниковых
соединений AIIIBV, однако эти соединения обеспечивают
большее быстродействие, прежде всего, за счет высокой подвижности р носителей и
меньши ...