Global Informatics
Таблица 2.1.4 Затраты на комплектующие изделия.
|
Наименование комплектующих |
Тип изделия |
потребность, шт. |
Цена за единицу,руб. |
Сумма затратруб. |
|
Микросхема |
BMP085 |
1 |
88000 |
88000 |
|
DHT11 |
1 |
66700 |
66700 | |
|
DS18B20 |
2 |
12700 |
25400 | |
|
OP37EZ |
1 |
53500 |
53500 | |
|
FT232RL |
1 |
48 000 |
48 000 | |
|
nRF24L01 |
2 |
82000 |
164000 | |
|
ATmega88PA |
1 |
16000 |
16000 | |
|
L7805ABD2T |
1 |
10500 |
10500 | |
|
AMS1117 |
1 |
7300 |
7300 | |
|
Диод |
ARL-5613URD |
4 |
1000 |
4000 |
|
Конденсатор |
SMD 10 uF 50V 10% X7R 1206 |
3 |
700 |
2100 |
|
К10-50 -50В-100мкФ±5% |
2 |
4400 |
8800 | |
|
SMD 100 nF 50V 10% X7R 1206 |
3 |
700 |
2100 | |
|
PL301-4P |
2 |
4000 |
8000 | |
|
Резистор |
SMD 1206 1W 1% 10кОм |
4 |
300 |
1200 |
|
Кнопки |
SWT-2-5 |
4 |
500 |
2000 |
|
Итого на единицу продукции: |
507600 | |||
|
Транспортно-заготовительные расходы (4%) |
20304 | |||
|
Всего на единицу продукции |
527904 | |||
Все затраты на НИОКР сведем в таблицу 2.1.5.
Статья в тему
Модуляционно-легированные транзисторы MODFET, биполярные транзисторы на гетеропереходах. Резонансный туннельный эффект
Высокая степень интеграции, характерная для современной кремниевой
технологии, не может быть достигнута при использовании полупроводниковых
соединений AIIIBV, однако эти соединения обеспечивают
большее быстродействие, прежде всего, за счет высокой подвижности р носителей и
меньши ...