Global Informatics
Таблица 1.
|
Материал |
InGaAs |
InAs |
Si/SiGe |
GaAs |
Si (диод Эсаки) |
|
J, кА/см-2 |
460 |
370 |
282 |
250 |
151 |
|
PVCR |
4 |
3,2 |
2,4 |
1,8 |
2,0 |
|
ΔIΔV |
5,4 |
9,4 |
43,0 |
4,0 |
1,1 |
|
Rd (Ω) |
1,5 |
14,0 |
12,5 |
31,8 |
79,5 |
|
Площадь, мкм2 |
16 |
1 |
25 |
5 |
2,2 |
В таблице приведены значения плотности пикового тока Jp, коэффициента PVCR (отношение максимального тока к току в долине); предельная мощность устройства, т, е. максимум произведения ΔIΔV в области отрицательного дифференциального сопротивления NRD (в предположении 100%-й эффективности) и значение отрицательного сопротивления диода RD в области NRD.
Статья в тему
Модуляционно-легированные транзисторы MODFET, биполярные транзисторы на гетеропереходах. Резонансный туннельный эффект
Высокая степень интеграции, характерная для современной кремниевой
технологии, не может быть достигнута при использовании полупроводниковых
соединений AIIIBV, однако эти соединения обеспечивают
большее быстродействие, прежде всего, за счет высокой подвижности р носителей и
меньши ...