Global Informatics

- Информатика и вычислительная техника

Резонансный туннельный эффект

Таблица 1.

Материал

InGaAs

InAs

Si/SiGe

GaAs

Si (диод Эсаки)

J, кА/см-2

460

370

282

250

151

PVCR

4

3,2

2,4

1,8

2,0

ΔIΔV

5,4

9,4

43,0

4,0

1,1

Rd (Ω)

1,5

14,0

12,5

31,8

79,5

Площадь, мкм2

16

1

25

5

2,2

В таблице приведены значения плотности пикового тока Jp, коэффициента PVCR (отношение максимального тока к току в долине); предельная мощность устройства, т, е. максимум произведения ΔIΔV в области отрицательного дифференциального сопротивления NRD (в предположении 100%-й эффективности) и значение отрицательного сопротивления диода RD в области NRD.

Перейти на страницу: 1 2 3 

Статья в тему

Строительство волоконно-оптической линии передачи между городами Рязань и Саратов
Рязань - административный центр Рязанской области. В городе проживает примерно 524 тысячи человек. В Советском союзе Рязань превратилась в крупный промышленный центр. В настоящее время город дает 60% валовой продукции промышленной отрасли. В городе преобладает тяжелая промышленность, ...

Главные разделы


www.globalinformatics.ru © 2025 - Все права защищены!