Модуляционно-легированные полевые транзисторы (MODFET)

В настоящее время модулированно-легированные полевые транзисторы доминируют на рынке малошумящих приборов, так как они способны работать в очень широком диапазоне частот: от микроволновых до частот около 100 ГГц (см. рис.1). В новейших гетероструктурах систем AlGaAs- InGaAs - GaAs не только квантовая локализация электронов в ямах более эффективна, чем в гетеропереходах на основе AlGaAs-GaAs, но и электроны двигаются в слое InGaAs с более высокой дрейфовой скоростью насыщения, чем в GaAs. Крутизна такого транзистора достигает значений 100 мС/мм, частота отсечки составляет около 100 ГГц, а уровень шумов составляет лишь 2 дВ.

Такие высокие характеристики достигаются за счет уменьшения расстояния затвор -канал (из-за более резких барьеров) и снижения паразитных емкостей системы. По всем этим причинам модулирование-легированные полевые транзисторы превосходят другие приборы при усилении сигналов в микроволновом диапазоне, вплоть до частот 300 ГГц, т. е. примерно в шесть раз превышают по быстродействию лучшие из транзисторов, изготовленных на основе МОП-технологий при заданном уровне литографического разрешения. Модулированно-легированные полевые транзисторы могут также изготовляться на основе структур SiGe, однако такие устройства не выпускаются промышленно из-за относительно высоких значений токов утечки.

Статья в тему

Система автоматического регулирования захватом руки робота манипулятора
Робот - это универсальный автомат, позволяющий выполнять механические действия. Его принципиальной особенностью является быстрая оперативная перестройка с одной выполняемой операции на другую. Существует несколько разновидностей роботов и для каждого из них имеется своё определение. ...