Global Informatics
В настоящее время модулированно-легированные полевые транзисторы доминируют на рынке малошумящих приборов, так как они способны работать в очень широком диапазоне частот: от микроволновых до частот около 100 ГГц (см. рис.1). В новейших гетероструктурах систем AlGaAs- InGaAs - GaAs не только квантовая локализация электронов в ямах более эффективна, чем в гетеропереходах на основе AlGaAs-GaAs, но и электроны двигаются в слое InGaAs с более высокой дрейфовой скоростью насыщения, чем в GaAs. Крутизна такого транзистора достигает значений 100 мС/мм, частота отсечки составляет около 100 ГГц, а уровень шумов составляет лишь 2 дВ.
Такие высокие характеристики достигаются за счет уменьшения расстояния затвор -канал (из-за более резких барьеров) и снижения паразитных емкостей системы. По всем этим причинам модулирование-легированные полевые транзисторы превосходят другие приборы при усилении сигналов в микроволновом диапазоне, вплоть до частот 300 ГГц, т. е. примерно в шесть раз превышают по быстродействию лучшие из транзисторов, изготовленных на основе МОП-технологий при заданном уровне литографического разрешения. Модулированно-легированные полевые транзисторы могут также изготовляться на основе структур SiGe, однако такие устройства не выпускаются промышленно из-за относительно высоких значений токов утечки.
Статья в тему
Спектральный анализ аналоговых сигналов и расчет откликов на выходе линейной цепи
Методы математического описания сигналов является базовым курсом в
системе подготовки современного инженера в области радиотехники и
радиоэлектроники. Его целью является изучение фундаментальных закономерностей
связанных с получением сигналов, их передачей по каналам связи, об ...