Global Informatics
Рассмотрим конструктивную схему конденсаторного микрофона.
 
 
Рисунок 7 - Конструктивная схема микрофона на основе конденсатора
Измеряемое давление воздействует на гибкую и тонкую (толщиной 10ч20 мкм) мембрану 3, играющую роль подвижной обкладки в датчике смещения емкостного типа. Другая обкладка, 2 фиксирована и имеет отверстия для демпфирования 4, при движении диафрагмы воздух протекает через эти отверстия. Это демпфирование используется для контроля резонансной амплитуды диафрагмы и позволяет скорректировать высокочастотную часть характеристики преобразования в соответствии с объектом измерений (давление, свободное поле, диффузное поле или падение под случайными углами). Капиллярный канал 1 позволяет уравнять среднее давление по обе стороны мембраны. Он определяет низкочастотный отклик и обеспечивает защиту по отношению к колебаниям атмосферного давления. Неподвижная обкладка отделена от подвижной мембраны изолятором 5.
Определим соотношения, устанавливающие связь электрических и механических параметров в конденсаторном микрофоне, а также рассчитаем толщину мембраны микрофона МКЭ-4М.
Заряд плоского конденсатора Q, на который подается разность потенциалов u0, определяется выражением:
 (47)
 (47) 
где
ε0 - электрическая постоянная, ε0=8,85·10-12  ;
; 
А - работа, совершаемая при перемещении мембраны, Дж;
x0 - расстояние между обкладками в состоянии покоя, м.
Восстанавливающую силу мембраны можно рассчитать, исходя из ее потенциальной энергии W, являющейся суммой электростатической и упругой энергий.
 (48)
 (48) 
где x (t) - положение мембраны в момент времени t;
 (49)
 (49) 
где CD - акустическая емкость мембраны, Ф.
Тогда
 (50)
 (50) 
где f2 (t) - восстанавливающая упругая сила, противодействующая силе давления f1.
 (51)
 (51) 
где Sм - площадь поверхности мембраны, м2.
Так как поверхность мембраны имеет круглую форму, то ее площадь определяется:
 (52)
 (52) 
где R - радиус мембраны, м.
Рассмотрим теперь микрофон без учета пропускания воздуха через капилляр. Для расчетов учтем, что микрофон работает в номинальном режиме. Тогда, согласно пункту 2.5:
А=5,85·10-4 Дж;
 ;
; 
Упругая сила f2 (t) зависит от свойств материала, из которого изготовлена мембрана. Эта зависимость выражается следующей формулой:
 (53)
 (53) 
где R - радиус мембраны, м;
Е - модуль упругости материала мембраны, кг/м;
h - толщина мембраны, м;
ω0 - прогиб центра мембраны, м;
a, b - коэффициенты зависящие от формы мембраны.
Для круглой мембраны:
 
 
 .
. 
Прогиб центра мембраны определяется через изменение объема воздуха  , вытесненного мембраной в момент прогиба:
, вытесненного мембраной в момент прогиба: 
 (54)
 (54) 
С другой стороны, изменение объема равно разности объема воздуха  , находящегося между обкладками и объемом самой мембраны
, находящегося между обкладками и объемом самой мембраны  :
: 
 (55)
 (55) 
Микрофон МКЭ-4М имеет цилиндрическую форму, тогда:
 (56)
 (56) 
 (57)
 (57) 
Приравнивая выражения (52), (55) и подставляя в (55) выражения (56), (57) выразим ω0.
 (58)
 (58) 
Подставляя в (50) выражения (47), (51), (52), (57), получим выражение для определения толщины мембраны микрофона.
 (59)
 (59) 
Учитывая номинальный режим работы микрофона, круглую форму мембраны, а также, что толщина стенок корпуса микрофона пренебрежимо мала по сравнению с диаметром мембраны, по справочнику [9] определим неизвестные величины, необходимые для расчета толщины мембраны.
Статья в тему
Технология изготовления диффузионых резисторов на основе кремния
	
Одним
из основных достижений микроэлектроники является создание на основе
фундаментальных и прикладных наук новой элементной базы интегральных микросхем.
Развитие
вопросов проектирования и совершенствование технологии позволило в короткий
срок создать высоко интегрированные функци ...