Расчетная часть и сводная таблица каскада

Исходные данные: h11э=950 Ом; h12э=7,5∙10-3; h21э=45; h22э=50∙10-6 Ом-1; Rк=3,6кОм; Uэ=2,8 В; fн=25 Гц; Pк max=0,15 Вт; Iко = 1 мА; Uкэ = 5 В; Uбэ = 0,2 В.

Определяют падение напряжения Uко на коллекторном резисторе в состоянии покоя:

ко = IкоRк, (1)

где Iко - ток коллектора; Rк - сопротивление на коллектора.ко = 0,001*3600 = 3,6 В.

Рассчитывают ток базы Iбо транзистора в состоянии покоя:

бо = Iко / h21э, (2)

где h21э - коэффициент усиления по току.бо = 0,001/45 = 2,2*10-4 А.

Ток делителя Iд, протекающий по резисторам R1, R2, берут в 5 раз больше тока базы:

д = 5 ·Iбо, (3)

д = 5*0,00022 = 1,1*10-3 А.

Рассчитывают напряжение питания Ек схемы как сумму трех напряжений:

Ек = Uкэ + Uко + Uэ, (4)

Где Uкэ - напряжение между коллектором и эмиттером; Uэ - напряжение на эмиттере.

Ек = 5+3,6+2,8 = 11,4 В.

Определяют падение напряжения U2 на резисторе R2 делителя как сумму двух напряжений:

= Uэ + Uбэ, (5)

где Uбэ - напряжение между базой и эмиттером.= 2,8+0,2 = 3 В.

Определяют падение напряжения U1 на резисторе R1 как разность напряжений питания Eк и падения напряжения на резисторе R2:

= EK - U2, (6)

= 11,4 - 3 = 8,4 В.

Рассчитывают сопротивление резистора R2 по закону Ома:

= U2 / I2 = U2 / Iд, (7)

= 3 / 0,0011 = 2727,2 Ом.

по расчетным данным я выбрал номинальный резистор R2 выпускаемый промышленностью С2-33-0,125-2,7 КОм±5%

При расчете сопротивления резистора R1 нужно учитывать, что через него протекает сумма токов:

=U1 / (Iд + IБо). (8)

= 8,4 / (0,0011 + 0,00022) = 6363,6 Ом.

по расчетным данным я выбрал номинальный резистор R1 выпускаемый промышленностью С2-23-0,125-6,2 КОм±5%

Находят входное сопротивление усилителя Rвх как эквивалентное сопротивление Rэкв трех включенных параллельно резисторов R1, R2 и h11э

Сопротивление нагрузки усилителя берут такого же значения:

экв = R1 × R2 /( R1 + R2), (9)

экв = 6,2*2,7/(6,2+2,7) = 1,9 КОм.

вх = Rэкв × h11э /( Rэкв + h11э) ,(10)

где h11э - входное сопротивление транзистора при коротком замыкании на его выходевх = 1900*950/(1900+950) = 633,3 Ом.

Сопротивление нагрузки Rн усилителя берут такого же значения:

н = Rвх (11)

Рассчитывают сопротивление резистора RЭ по закону Ома:

э = UЭ / (IКо + Iбо), (12)

э =2,8/(0,001+0,00022) = 2295 Ом.

По расчетным данным я выбрал номинальный резистор Rэ выпускаемый промышленностью С2-33-0,125-2,2 КОм±5%

Оценивают емкость шунтирующего конденсатора CЭ в эмиттерной цепи по приближенной формуле:

Сэ = 1 / (2πfHrэ), (13)

где rЭ = 2h12э / h22э ; fH - нижняя частота.

Сэ = 1 / (2*3,14*25(2*7,5∙10-3/50∙10-6)) = 21 мкФ.

по расчетным данным я выбрал номинальный конденсатор Сэ выпускаемый промышленностью К50-35-22 мкФ-15В

Оценивают емкость разделительного конденсатора Cб на входе схем по приближенной формуле:

Статья в тему

Модуляционно-легированные транзисторы MODFET, биполярные транзисторы на гетеропереходах. Резонансный туннельный эффект
Высокая степень интеграции, характерная для современной кремниевой технологии, не может быть достигнута при использовании полупроводниковых соединений AIIIBV, однако эти соединения обеспечивают большее быстродействие, прежде всего, за счет высокой подвижности р носителей и меньши ...