Описание работы каскада

Усилительный каскад с общим эмиттером работает следующим образом:

. При увеличении входного напряжения (UВХ ↑) ширина p − n перехода между коллектором и базой уменьшается, в результате возрастает ток в цепи эмиттера (IЭ ↑), а выходное сопротивление транзистора (между коллектором и эмиттером) уменьшается (RВыхТр ↓), а следовательно уменьшается и падение напряжения на выходе транзистора (IЭRВыхТр = UВых ↓).

. При уменьшении входного напряжения (UВХ ↓) ширина p−n перехода между коллектором и базой увеличивается, в результате чего ток в цепи эмиттера уменьшается (IЭ ↓), а выходное сопротивление транзистора (между коллектором и эмиттером) увеличивается (RВыхТр ↑), следовательно, увеличивается и падение напряжения на выходе транзистора (IЭRВыхТр = UВых ↑).

Таким образом, усилительный каскад с общим эмиттером сдвигает фазу выходного сигнала, относительно входного, на 1800.

В зависимости от сочетания знаков и значений напряжений на p-n-переходах транзистора различают следующие режимы его работы:

а) активный режим - на эмиттерный переход подано прямое напряжение, а на коллекторный переход - обратное;

б) режим отсечки - на оба перехода поданы обратные напряжения (транзистор заперт);

в) режим насыщения - на оба перехода поданы прямые напряжения (транзистор полностью открыт);

г) инверсный активный режим - напряжение на эмиттерном переходе обратное, на коллекторном - прямое.

В нашем случае транзистор работает в активном режиме (рис.1). Для того что бы вывести транзистор в активный режим, нужно на вольтамперной характеристике выбрать рабочую точку. Она выбирается на середине линейного участка входной ВАХ (рис.7).

Рис.7-входная ВАХ

Далее выбирается рабочая точка на выходной ВАХ. Она выбирается на середине нагрузочной линии (рис.8).

Рис.8-выходная ВАХ

Статья в тему

Модуляционно-легированные транзисторы MODFET, биполярные транзисторы на гетеропереходах. Резонансный туннельный эффект
Высокая степень интеграции, характерная для современной кремниевой технологии, не может быть достигнута при использовании полупроводниковых соединений AIIIBV, однако эти соединения обеспечивают большее быстродействие, прежде всего, за счет высокой подвижности р носителей и меньши ...