Материалы, используемые для разработки микросборки

Материал для защиты элементов выбирается по электрической прочности. Он должен обладать низким ТКС, малым tgd и большим объемным сопротивлением. В соответствии с вышеизложенными требованиями выбираем негативный фоторезист ФН-108.

табл. 1.2.4

Характеристики материала, применяемого для защиты элементов
Материал диэлектрика	Негативный фоторезист ФН-108
Удельная емкость С0, пФ/мм2	12
Тангенс угла диэлектрических потерь tgd на частоте f =1 кГц	0,01
Удельное объемное сопротивление rV, Ом×см	1012
Электрическая прочность Епр, В/см	105
Температурный коэффициент емкости ТКС при Т=-60…85°С,1/град	5×10-4

Перейти на страницу: 1 2

Статья в тему

Схемы управления и обработки выходного сигнала прибора с зарядовой связью
Фото матрица ПЗС представляет собой микросхему средней интеграции, состоящую из четырёх основных секций - накопления, памяти, нижнего однострочного регистра и выходного устройства. Во время активной части полукадра в секции накопления создается потенциальный рельеф, соответствующий распределению яр ...

Главные разделы