Материалы, используемые для разработки микросборки

Материал для защиты элементов выбирается по электрической прочности. Он должен обладать низким ТКС, малым tgd и большим объемным сопротивлением. В соответствии с вышеизложенными требованиями выбираем негативный фоторезист ФН-108.

табл. 1.2.4

Характеристики материала, применяемого для защиты элементов
Материал диэлектрика	Негативный фоторезист ФН-108
Удельная емкость С0, пФ/мм2	12
Тангенс угла диэлектрических потерь tgd на частоте f =1 кГц	0,01
Удельное объемное сопротивление rV, Ом×см	1012
Электрическая прочность Епр, В/см	105
Температурный коэффициент емкости ТКС при Т=-60…85°С,1/град	5×10-4

Перейти на страницу: 1 2

Статья в тему

Модуляционно-легированные транзисторы MODFET, биполярные транзисторы на гетеропереходах. Резонансный туннельный эффект
Высокая степень интеграции, характерная для современной кремниевой технологии, не может быть достигнута при использовании полупроводниковых соединений AIIIBV, однако эти соединения обеспечивают большее быстродействие, прежде всего, за счет высокой подвижности р носителей и меньши ...

Главные разделы