Паразитные связи в гибридных микросхемах

В микросхемах расстояния между отдельными элементами намного меньше, чем в узлах РЭА, а сами элементы размещены на подложке, проводимость и диэлектрическая проницаемость которой много больше соответствующих параметров воздуха. Поэтому связи между элементами гибридных микросхем, в том числе паразитные, мешающие их нормальному функционированию, становятся очень сильными. Паразитные связи в виде отдельных проводимостей или паразитных элементов необходимо учитывать при синтезе электрической принципиальной схемы, а также при оптимизации конструкции гибридной микросхемы.

Все виды связей и взаимосвязей можно классифицировать следующим образом.

) связи электромагнитной природы, которые, в свою очередь, подразделяются на гальванические, емкостные и индуктивные. Эквивалентные проводимости, отражающие указанные типы связей, являются пассивными;

) связи, обусловленные тепловыми процессами, включающие связи, возникающие за счет термоэлектрических эффектов, изменения проводимости при изменении температуры, тепловой инжекции носителей;

) связи, обусловленные магнитоэлектрическими эффектами. Элементы гибридной микросхемы могут быть связаны друг с другом одним из указанных видов связей или их совокупностью. При расчетах такие связи удобно представлять в виде проводимости yij, которая в общем случае является комплексной и определяется конструкцией гибридной микросхемы, режимом ее работы, используемыми физическими явлениями и эффектами, параметрами исходных материалов.

Статья в тему

Трасса прокладки волоконно-оптической линии передачи между пунктами Орел-Пенза
В современном информационном мире каждые пять лет объём передаваемой информации увеличивается вдвое, соответственно, встаёт задача передачи большого количества информации с максимальной скоростью и высокой степенью достоверности на большие расстояния и её обработка. Ведущая р ...