Паразитные связи в гибридных микросхемах

В микросхемах расстояния между отдельными элементами намного меньше, чем в узлах РЭА, а сами элементы размещены на подложке, проводимость и диэлектрическая проницаемость которой много больше соответствующих параметров воздуха. Поэтому связи между элементами гибридных микросхем, в том числе паразитные, мешающие их нормальному функционированию, становятся очень сильными. Паразитные связи в виде отдельных проводимостей или паразитных элементов необходимо учитывать при синтезе электрической принципиальной схемы, а также при оптимизации конструкции гибридной микросхемы.

Все виды связей и взаимосвязей можно классифицировать следующим образом.

) связи электромагнитной природы, которые, в свою очередь, подразделяются на гальванические, емкостные и индуктивные. Эквивалентные проводимости, отражающие указанные типы связей, являются пассивными;

) связи, обусловленные тепловыми процессами, включающие связи, возникающие за счет термоэлектрических эффектов, изменения проводимости при изменении температуры, тепловой инжекции носителей;

) связи, обусловленные магнитоэлектрическими эффектами. Элементы гибридной микросхемы могут быть связаны друг с другом одним из указанных видов связей или их совокупностью. При расчетах такие связи удобно представлять в виде проводимости yij, которая в общем случае является комплексной и определяется конструкцией гибридной микросхемы, режимом ее работы, используемыми физическими явлениями и эффектами, параметрами исходных материалов.

Статья в тему

Модуляционно-легированные транзисторы MODFET, биполярные транзисторы на гетеропереходах. Резонансный туннельный эффект
Высокая степень интеграции, характерная для современной кремниевой технологии, не может быть достигнута при использовании полупроводниковых соединений AIIIBV, однако эти соединения обеспечивают большее быстродействие, прежде всего, за счет высокой подвижности р носителей и меньши ...