Global Informatics
Целью данной работы является расчет и проектирование усилительного каскада на биполярном транзисторе со следующими заданными параметрами:
|
Материал взят с сайта 1. Диапазон рабочих частот 2. Допустимые частотные искажения 3. Сопротивление источника сигнала и нагрузки 4. Коэффициент усиления 5. Максимальная амплитуда выходного напряжения |
0,001…49 МГц Yн:= 3дБ Yв:=3 дБ 50 Ом 20 дБ 2 В |
Статья в тему
Модуляционно-легированные транзисторы MODFET, биполярные транзисторы на гетеропереходах. Резонансный туннельный эффект
Высокая степень интеграции, характерная для современной кремниевой
технологии, не может быть достигнута при использовании полупроводниковых
соединений AIIIBV, однако эти соединения обеспечивают
большее быстродействие, прежде всего, за счет высокой подвижности р носителей и
меньши ...